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林云昊
作品数:
40
被引量:1
H指数:1
供职机构:
华南理工大学
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发文基金:
国家自然科学基金
广东省重大科技专项
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李国强
华南理工大学
王文樑
华南理工大学
杨为家
华南理工大学
刘作莲
华南理工大学
周仕忠
华南理工大学
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜及其制备方法
本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜,包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,...
李国强
王文樑
杨为家
刘作莲
林云昊
文献传递
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱
本实用新型公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱,包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层...
李国强
王文樑
杨为家
刘作莲
林云昊
文献传递
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法
本发明公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱,包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的...
李国强
王文樑
杨为家
刘作莲
林云昊
文献传递
H_2气氛对采用MOCVD法在Si衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响
2016年
采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上外延生长AlN薄膜,用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征,并研究了适量H_2的引入对AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明:在Si衬底上外延生长AlN薄膜过程中引入适量H_2,有利于提高AlN岛间愈合程度,薄膜表面缺陷减少,表面粗糙度由4.0nm减少至2.1nm;适量H_2的引入可使AlN薄膜的(0002)和(10-12)面的X射线摇摆曲线的半峰宽(FWHM)值从0.7"及1.1"分别减小到0.6"和0.9",即刃型穿透位错密度和螺型穿透位错密度减少.
杨美娟
林云昊
王文樑
林志霆
李国强
关键词:
SI衬底
ALN薄膜
H2
MOCVD
生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱及其制备方法
本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱,包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InG...
李国强
王文樑
杨美娟
林云昊
文献传递
生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片及制备方法
本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片,包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层,生...
李国强
王文樑
杨为家
刘作莲
林云昊
文献传递
生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片
本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片,包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层...
李国强
王文樑
杨为家
刘作莲
林云昊
文献传递
生长在Zr衬底上的AlN薄膜
本实用新型公开了生长在Zr衬底上的AlN薄膜,由下至上依次包括Zr衬底和AlN薄膜;所述AlN薄膜为在450~550℃生长的AlN薄膜。本实用新型的AlN薄膜具有位错密度低、晶体质量好的优点,且Zr衬底容易获得,价格便宜...
李国强
刘作莲
王文樑
杨为家
林云昊
周仕忠
钱慧荣
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法
本发明公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱,包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的...
李国强
王文樑
杨为家
刘作莲
林云昊
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生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜
本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜,包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层,生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN...
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