刘作莲
- 作品数：36 被引量：8H指数：2
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省重大科技专项更多>>
- 相关领域：电子电信天文地球理学更多>>
- 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜及其制备方法、应用
- 本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。所述La...
- 李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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- 生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片及制备方法
- 本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生...
- 李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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- 生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片
- 本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的LED外延片，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层...
- 李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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- 生长在Zr衬底上的AlN薄膜
- 本实用新型公开了生长在Zr衬底上的AlN薄膜，由下至上依次包括Zr衬底和AlN薄膜；所述AlN薄膜为在450～550℃生长的AlN薄膜。本实用新型的AlN薄膜具有位错密度低、晶体质量好的优点，且Zr衬底容易获得，价格便宜...
- 李国强刘作莲王文樑杨为家林云昊周仕忠钱慧荣
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- 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法
- 本发明公开了一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的...
- 李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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- 生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜
- 本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN...
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- 利用单台地磁数据估算Ap和Kp指数的可行性分析被引量：2
- 2011年
- 通过分析单台长期地磁场扰动幅度和地磁行星指数Ap和Kp关系,对1小时磁扰幅度r_H的日平均与Ap进行拟合,快速估算Ap指数。对3小时内r_H的平均与Kp进行对数拟合,估算Kp指数。采用肇庆地震台2003—2008年地磁H分量分钟值数据,估算行星Ap和Kp指数,与世界数据中心(WDC)给出的Ap和Kp指数进行统计分析。结果发现,根据上述方法,利用肇庆地震台地磁数据估算Ap和Kp指数,在一定误差范围内可行。
- 黄林峰黄江邓柏昌刘作莲徐杰全宏俊
- 关键词：地磁
- 生长在W衬底上的LED外延片及制备方法
- 本发明公开了生长在W衬底上的LED外延片，包括生长在W衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN薄膜，生长在n型掺杂GaN薄膜上的InGaN/GaN量子阱，生长在I...
- 李国强王文樑刘作莲杨为家林云昊周仕忠钱慧荣
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- 脉冲激光沉积GaN薄膜的研究进展
- 2014年
- 脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,包括新型衬底上的GaN薄膜外延研究进展,以及作为克服异质外延的重要手段——缓冲层技术的发展现状。从目前的研究进展可以看出,应用PLD技术制备GaN薄膜及其光电器件具有广阔的发展前景。
- 刘作莲王文樑杨为家林云昊钱慧荣周仕忠李国强
- 关键词：GAN薄膜脉冲激光沉积
- 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜
- 本实用新型公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub>1.7</Sub>AlTaO<Sub>6</Sub>衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的GaN薄膜。所述...
- 李国强王文樑杨为家刘作莲林云昊
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