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蒋恒

作品数:22 被引量:8H指数:1
供职机构:浙江工业大学更多>>
发文基金:浙江省自然科学基金浙江省公益性技术应用研究计划项目国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 11篇阳极键合
  • 11篇键合
  • 10篇感器
  • 10篇传感
  • 10篇传感器
  • 9篇压阻
  • 9篇压阻式
  • 7篇杨氏模量
  • 7篇加速度
  • 5篇压阻式加速度...
  • 5篇速度传感器
  • 5篇微加工
  • 5篇污染
  • 5篇离子污染
  • 5篇加速度传感器
  • 5篇硅基
  • 5篇硅膜
  • 5篇SUB
  • 4篇压力传感器
  • 4篇压阻式压力传...

机构

  • 22篇浙江工业大学

作者

  • 22篇蒋恒
  • 21篇董健
  • 18篇孙笠

传媒

  • 2篇浙江工业大学...
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇固体力学学报

年份

  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 14篇2014
  • 1篇2013
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法及其应用
本发明提供了一种硅基绝缘层上非晶硅与玻璃的阳极键合方法,所述方法为:(1)在硅基底面上沉积一层绝缘层;(2)以光刻胶作掩膜,对绝缘层进行刻蚀,将硅基底面与非晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区;(3)在开设有开槽区的硅基...
董健蒋恒孙笠
文献传递
一种压阻式加速度传感器及其制造方法
一种压阻式加速度传感器及其制造方法。本发明公开了一种基于阳极键合封装的压阻式加速度传感器,所述的传感器具有第一键合玻璃-硅基-第二键合玻璃三明治结构;所述的硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有质量块、淡硼扩散...
蒋恒孙笠董健
纳米压痕法测磁控溅射铝薄膜屈服应力被引量:4
2016年
为了在考虑残余应力下测量出磁控溅射铝薄膜的屈服应力,提出了一种实验测量方法,通过曲率测试法和球形压头纳米压痕法测出磁控溅射铝薄膜的屈服应力.建立球形压痕力学模型,并用ANSYS对球形压痕进行力学有限元仿真,利用直流磁控溅射技术在硅基上淀积一层1μm厚的铝薄膜,首先通过曲率测试法测量膜内等双轴残余应力,再利用最小二乘曲线拟合法从薄膜/基底系统的球形压头纳米压痕实验数据中提取出铝薄膜的屈服应力,测得磁控溅射铝薄膜的屈服应力为371±89 MPa.该方法也可以用来研究其他材料的薄膜和小体积材料的力学特性.
董健龙芝剑孙笠蒋恒
关键词:屈服应力纳米压痕
一种硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法及其应用
本发明提供了一种硅基绝缘层上非晶硅与玻璃的阳极键合方法,所述方法为:(1)在硅基底面上沉积一层绝缘层;(2)以光刻胶作掩膜,对绝缘层进行刻蚀,将硅基底面与非晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区;(3)在开设有开槽区的硅基...
董健蒋恒孙笠
求解Al/SiO<Sub>2</Sub>/Si三层MEMS悬臂梁结构的弹性变形的方法
求解Al/SiO<Sub>2</Sub>/Si三层MEMS悬臂梁结构的弹性变形的方法,包括以下步骤:(1)利用MEMS工艺制作的Al/SiO<Sub>2</Sub>/Si三层悬臂梁结构,其各层杨氏模量和厚度是已知,设杨氏...
董健蒋恒
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一种压阻式加速度、压力集成传感器及其制造方法
本发明提供了一种基于阳极键合封装的MEMS压阻式加速度、压力集成传感器及其制造方法,所述的传感器同时集成了压阻式加速度传感器和压阻式压力传感器,并且具有第一键合玻璃‑硅基‑第二键合玻璃三明治结构;本发明压阻式加速度、压力...
董健蒋恒孙笠
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一种MEMS压阻式加速度传感器及其制造方法
一种MEMS压阻式加速度传感器及其制造方法。本发明提供了一种基于阳极键合封装的MEMS压阻式加速度传感器,所述的传感器具有第一键合玻璃-硅基-第二键合玻璃三明治结构;所述硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有淡...
董健蒋恒孙笠
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求解Au/SiO<Sub>2</Sub>/Si三层MEMS悬臂梁结构的弹性变形的方法
求解Au/SiO<Sub>2</Sub>/Si三层MEMS悬臂梁结构的弹性变形的方法,包括以下步骤:(1)利用MEMS工艺制作的Au/SiO<Sub>2</Sub>/Si三层悬臂梁结构,其各层杨氏模量和厚度是已知,设杨氏...
蒋恒董健孙笠
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梯度残余应力下多层膜结构的弹性变形被引量:1
2014年
提出了一类Stoney延伸公式来表征多层MEMS膜结构的曲率和其各层膜内沿厚度任意分布的残余应力之间的关系。推导出三层结构下的Stoney延伸公式,并利用它解决了残余应力沿厚度方向梯度分布的三层悬臂梁结构的变形问题。制造了一个Si3N4/p+Si/Si三层悬臂梁微结构,并测得其弯曲曲率,在p+硅层残余应力梯度分布和均匀分布两种情况下分别对该结构进行了仿真和解析计算。结果表明:所提出的Stoney延伸公式能比较准确地表征多层膜结构的弹性变形和其各层膜内任意分布的残余应力之间的关系;用平均残余应力代替实际的梯度残余应力,会对结构变形的预测带来更大的误差。
董健蒋恒
关键词:微机电系统多层膜结构
一种求解Al/Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si三层MEMS悬臂梁结构的弹性变形的方法
求解Al/Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si三层MEMS悬臂梁结构的弹性变形的方法,包括以下步骤:(1)利用MEMS工艺制作的Al/Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/Si三...
蒋恒董健孙笠
文献传递
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