曹明霞
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 氮化镓材料的ICP刻饰损伤与回复研究
- 近年来,针对蓝绿波段激光器和探测器等应用,宽禁带氮化镓（GaN）基材料及器件活动了广泛的研究。由于GaN材料的化学性质稳定,因此在其器件工艺中多采用干法刻蚀来完成器件的制备。而干法刻饰过程对于材料甚至于器件性能的影响一直...
- 于广辉王笑龙王新中林朝通曹明霞齐鸣李爱珍
- 文献传递
- HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法
- 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳米多孔材料衬底及其制备方法，其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜GaN外延生长的衬底，改善晶体质量，同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬底的GaN模板上...
- 于广辉王新中林朝通曹明霞卢海峰李晓良巩航齐鸣李爱珍
- 文献传递
- 利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法
- 本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜GaN质量的方法，其特征在于采用了纳米量级的SiO<Sub>2</Sub>、SiO或Si<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>等点阵作为GaN外延掩模。在氢化物气相外...
- 王新中于广辉林朝通曹明霞巩航齐鸣李爱珍
- 文献传递
- HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO<Sub>2</Sub>纳米掩膜及方法
- 本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子点阵掩膜及其制备方法，其特征在于采用了SiO<Sub>2</Sub>纳米粒子点阵作为GaN横向外延过生长的掩膜。先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用...
- 王新中于广辉林朝通曹明霞巩航齐鸣李爱珍
- 文献传递
- 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
- 本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属Al，再采用...
- 王新中于广辉林朝通曹明霞卢海峰李晓良巩航齐鸣李爱珍
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- 湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度
- 2009年
- 研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。
- 曹明霞于广辉王新中林朝通卢海峰巩航
- 关键词：GAN湿法化学腐蚀
- 熔融碱对GaN材料的湿法化学腐蚀研究
- 近年来，GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展，但是由于缺乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。分析GaN外延层中位错密度及类型是评估外延质量的一个重要方面。本论文围绕熔融碱对GaN材料的湿法化学腐蚀特性展开研...
- 曹明霞
- 利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法
- 本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜GaN质量的方法，其特征在于采用了纳米量级的SiO<Sub>2</Sub>、SiO或Si<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>等点阵作为GaN外延掩模。在氢化物气相外...
- 王新中于广辉林朝通曹明霞巩航齐鸣李爱珍
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- 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
- 本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属Al，再采用...
- 王新中于广辉林朝通曹明霞卢海峰李晓良巩航齐鸣李爱珍
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- 厚膜氮化镓材料的HVPE生长
- GaN 基宽带隙半导体材料是发展高温大功率电子器件和紫外激光器件的最优选材料之一。至今为止．GaN 器件结构的外延生长主要采用 SiC、AlO和 Si 等作为衬底．但是 GaN 与上述几种材料相比存在较大的晶格失配和热失...
- 于广辉林朝通王新中曹明霞雷本亮齐鸣李爱珍
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