林朝通
- 作品数：17 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
- 本发明涉及一种利用干法刻蚀氮化镓纳米线阵列的方法，其特征在于采用了金属Ni纳米粒子点阵作为掩膜，而Ni纳米粒子点阵是通过阳极氧化铝来制作的。在GaN纳米线阵列的制作中，先在GaN模板上沉积一层金属Al，再采用电化学的方法...
- 王新中于广辉雷本亮林朝通王笑龙齐鸣
- 文献传递
- 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
- 本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属Al，再采用...
- 王新中于广辉林朝通曹明霞卢海峰李晓良巩航齐鸣李爱珍
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- 湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度
- 2009年
- 研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。
- 曹明霞于广辉王新中林朝通卢海峰巩航
- 关键词：GAN湿法化学腐蚀
- 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
- 本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓(GaN)纳米线的方法，其特征在于采用了金属钨(W)作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后在N<Sub>2</Sub>气氛下经热退...
- 林朝通于广辉雷本亮王新中王笑龙齐鸣
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- 含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长
- 2007年
- 研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.
- 于广辉雷本亮孟胜王新中林朝通齐鸣
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延
- HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO<Sub>2</Sub>纳米掩膜及方法
- 本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子点阵掩膜及其制备方法，其特征在于采用了SiO<Sub>2</Sub>纳米粒子点阵作为GaN横向外延过生长的掩膜。先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用...
- 王新中于广辉林朝通曹明霞巩航齐鸣李爱珍
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- 利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法
- 本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜GaN质量的方法，其特征在于采用了纳米量级的SiO<Sub>2</Sub>、SiO或Si<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>等点阵作为GaN外延掩模。在氢化物气相外...
- 王新中于广辉林朝通曹明霞巩航齐鸣李爱珍
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- 氮化镓材料的ICP刻饰损伤与回复研究
- 近年来,针对蓝绿波段激光器和探测器等应用,宽禁带氮化镓（GaN）基材料及器件活动了广泛的研究。由于GaN材料的化学性质稳定,因此在其器件工艺中多采用干法刻蚀来完成器件的制备。而干法刻饰过程对于材料甚至于器件性能的影响一直...
- 于广辉王笑龙王新中林朝通曹明霞齐鸣李爱珍
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- HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法
- 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓(GaN)膜中使用的纳米多孔材料衬底及其制备方法，其特征在于采用复合纳米多孔材料作为厚膜GaN外延生长的衬底，改善晶体质量，同时方便衬底的剥离。先在以Si为衬底的GaN模板上...
- 于广辉王新中林朝通曹明霞卢海峰李晓良巩航齐鸣李爱珍
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- 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
- 本发明涉及一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法，其特征在于采用了带有钝化层超大纳米孔径GaN作为厚膜的模板。在生长厚膜GaN之前，在(0001)面蓝宝石衬底上，沉积一层GaN薄膜，然后在其上蒸发一层金属Al，再采用...
- 王新中于广辉林朝通曹明霞卢海峰李晓良巩航齐鸣李爱珍
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