岳超
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 半导体氧化镓与金属的接触特性研究
- 单斜结构的氧化镓是一种直接带隙的宽禁带氧化物半导体材料,其禁带宽度约为4.8 eV~4.9 eV,其吸收带边对应深紫外光波段,非常适合制作深紫外光学器件,同时,理论上其巴利加优值因子(εμEb3)仅次于金刚石,将成为功率...
- 岳超
- 关键词：半导体材料氧化镓金属元素接触特性
- 文献传递
- β-Ga_2O_3薄膜的分子束外延生长及其紫外光敏特性研究被引量：5
- 2013年
- 采用分子束外延(MBE)方法在Al2O3(0001)基片上生长了β-Ga2O3薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的结构和形貌特性进行了表征。制作了基于β-Ga2O3薄膜的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器并对其进行了电学特性测试,结果表明:在20 V偏压下,器件的暗电流为8 nA;在波长为254 nm、光照强度为13×10–6W/cm2的紫外光照射下,器件的光电流为624 nA;器件的光电流与暗电流比值为78,光响应度达360 A/W,表现出明显的日盲紫外光响应特性。
- 王伟褚夫同岳超刘兴钊
- 关键词：分子束外延日盲MSM紫外探测器光响应度
- 氧化镓薄膜的紫外光敏特性
- 本文采用分子束外延在(0001)取向的蓝宝石基片上生长p-GazOs薄膜，并初步研究了其光响应特性。Ga分子束流采用K-Cell提供，氧分子束流采用RF氧等离子体源产生。氧气流量为1sccm，射频源功率为300W，氧分压...
- 刘兴钊岳超王伟
- 关键词：宽禁带半导体
- 文献传递
- 一种低维PbSe-MoSe<Sub>2</Sub>光电探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种低维PbSe‑MoSe<Sub>2</Sub>光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域，包括衬底，衬底上制备有PbSe层，PbSe层上堆积有MoSe<Sub>2</Sub>层，进而形成PbSe‑MoSe<...
- 岳超王军周泓希吕部京都魏于超刘贤超陈进
- PbSe纳米材料制备与光电探测性能研究
- 岳超
