褚夫同
- 作品数：13 被引量：34H指数：4
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：福建省农科院青年科技人才创新基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程电气工程更多>>
- 气相沉积聚酰亚胺/Cr复合薄膜在GaN HEMTs中的应用
- 本文采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺/Cr复合薄膜,薄膜成份的面扫描分析结果显示:纳米尺度的金属Cr颗粒均匀分散在聚酰亚胺基体内,随着金属颗粒体积百分数的增加,薄膜介电常数增加,当金属颗粒的体积百分数超过约10％时,薄膜...
- 褚夫同刘兴钊
- 关键词：聚酰亚胺
- 文献传递
- β-Ga_2O_3薄膜的分子束外延生长及其紫外光敏特性研究被引量：5
- 2013年
- 采用分子束外延(MBE)方法在Al2O3(0001)基片上生长了β-Ga2O3薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的结构和形貌特性进行了表征。制作了基于β-Ga2O3薄膜的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器并对其进行了电学特性测试,结果表明:在20 V偏压下,器件的暗电流为8 nA;在波长为254 nm、光照强度为13×10–6W/cm2的紫外光照射下,器件的光电流为624 nA;器件的光电流与暗电流比值为78,光响应度达360 A/W,表现出明显的日盲紫外光响应特性。
- 王伟褚夫同岳超刘兴钊
- 关键词：分子束外延日盲MSM紫外探测器光响应度
- MTiO_3-LnAlO_3(M:Ba,Sr,Ca;Ln:La,Nd,Sm)系微波介质陶瓷的研究进展被引量：9
- 2008年
- 从晶体结构、反应历程、介电性能等方面综述了MTiO_3-LnAlO_3(M:Ba,Sr,Ca;Ln:Nd,Sm)中介微波介质陶瓷研究中进展,并结合本课题组的研究情况,归纳了目前该体系微波介质陶瓷研究中存在的问题,并对其今后的研究发展发现进行了展望。
- 褚夫同郑兴华张国清汤德平张肖峰
- 关键词：微波介质陶瓷钙钛矿结构
- GaN高电子迁移率晶体管中的介质薄膜技术
- 褚夫同陈超刘兴钊李言荣
- 聚合物前驱体法制备CTNA陶瓷及其性能被引量：3
- 2008年
- 采用DSC-TGA、XRD和SEM对聚合物前驱体法制备的0.7CaTiO_3-0.3NdAlO_3(CTNA)陶瓷粉末进行了分析。结果表明:经550℃预烧后的粉末为无定形态;但是当预烧温度提高到600℃时,形成了钙钛矿结构的CTNA单相。这表明CTNA晶相是未经中间相而直接从无定形态的前驱体中结晶形成。与传统固相反应法相比,合成温度从1300℃大幅下降到600℃。经900℃预烧,1375℃烧结的样品,其εr为43.3,Q·f为34862GHz,τf为1.4×10–6℃^(–1)。
- 张国清郑兴华俞建长汤德平褚夫同
- 关键词：无机非金属材料微波介质陶瓷聚合物前驱体法钙钛矿结构
- In2Ge2O7薄膜制备及其紫外光敏特性研究
- 2012年
- 以In2O3和GeO2为原料,采用碳还原法制备了In2Ge2O7多晶薄膜,利用XRD和SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征。对基于In2Ge2O7薄膜的金属-半导体-金属(MSM)紫外探测器进行了紫外光电导特性测量,结果显示:在波长为250nm的紫外光照射下,在5V偏压下,器件的光电流为727μA(暗电流为12μA),光响应度达到262.9A.W-1,光响应上升时间约为67s,下降时间约为15s。分析认为较长的响应时间是由于内部的缺陷与位错造成的。初步研究结果表明:In2Ge2O7薄膜可以作为一种良好的日盲紫外探测材料。
- 冯琳褚夫同唐永旭李瑶刘兴钊
- 关键词：紫外探测器
- CaTiO_3-NdAlO_3系微波介质陶瓷的研究进展被引量：4
- 2008年
- 综述了具有中等介电常数的CaTiO3-NdAlO3微波介质陶瓷在晶体结构、制备及反应过程、介电性能等方面的研究进展,总结了该体系微波介质陶瓷研究中存在的问题及其发展趋势。
- 褚夫同郑兴华张国清汤德平张肖峰林伟怡
- 关键词：微波介质陶瓷钙钛矿结构
- 气相沉积聚酰亚胺在微型电子器件中的应用被引量：1
- 2014年
- 采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺(PI)薄膜及PI与金属颗粒(Cr)复合(PI/Cr)薄膜,所制备PI薄膜表面平整,随着金属颗粒体积百分数增加,PI/Cr薄膜介电常数逐渐增大;当将PI薄膜应用于压电微机械超声换能器(pMUTs)中时,pMUTs机电耦合系数显著提高,所研制pMUTs在光声成像演示中探测到了较强的光声信号;当将PI/Cr薄膜应用于AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)中时,HEMTs的击穿电压由156 V提高到248 V,HEMTs器件的耐压能力显著改善。
- 褚夫同王乔升戴丽萍刘兴钊
- 关键词：聚酰亚胺
- BCB对CSLLT陶瓷的烧结及介电性能的影响
- 2007年
- 在CaO-SrO-Li2O-Sm2O3-Nd2O3-TiO2(简称CSLLT)陶瓷中加入BaCu(B2O5)(简称BCB),研究了BCB对CSLLT陶瓷的烧结特性和介电性能的影响。结果表明:随BCB的添加,CSLLT陶瓷的烧结温度逐渐下降,并且具有高介电常数。其中,添加10%BCB后的CSLLT陶瓷其烧结温度从1 300℃显著下降到1 050℃,且在微波频率下具有如下介电性能:ε=77.3、Qf=4 735 GHz;τf=-48.1×10-6/℃(1 MHz)。
- 江小才郑兴华汤德平褚夫同张肖峰
- 关键词：微波介电性能烧结助剂
- 钼/聚酰亚胺异质结上体声波用氮化铝薄膜生长(英文)被引量：3
- 2013年
- 采用中频反应磁控溅射方法,在钼/聚酰亚胺/硅(Mo/PI/Si)基片上室温下制备出c轴取向柱状结晶氮化铝(AlN)薄膜,X射线衍射摇摆曲线和拉曼谱E2(高)峰半高宽分别是2.2°和18.6 cm-1。制作了基于Mo/AlN/Mo/PI/Si结构的薄膜体声波谐振器(FBARs),PI/Mo异质结用作声绝缘层。用矢量网络分析仪分析了FBARs的谐振特性,器件等效耦合系数达到5.4%。
- 褚夫同李川汪振中刘兴钊
- 关键词：ALN聚酰亚胺
