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薛腾飞

作品数：26 被引量：7H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 13篇半导体
  • 9篇功率器件
  • 8篇半导体功率器...
  • 8篇半导体器件
  • 7篇漂移区
  • 6篇功率半导体
  • 6篇功率半导体器...
  • 6篇过渡区
  • 6篇衬底
  • 5篇电阻
  • 4篇电路
  • 4篇掩膜
  • 4篇掩膜版
  • 4篇曲率
  • 4篇热电堆
  • 4篇闩锁
  • 3篇电偶
  • 3篇热电
  • 3篇热电偶
  • 3篇终端结构

机构

  • 26篇电子科技大学
  • 1篇辽宁锦榜电气...

作者

  • 26篇薛腾飞
  • 25篇乔明
  • 22篇张波
  • 20篇齐钊
  • 12篇文帅
  • 8篇张昕
  • 8篇马金荣
  • 6篇吴文杰
  • 4篇蒋苓利
  • 4篇祁娇娇
  • 4篇章文通
  • 4篇樊航
  • 4篇黄军军
  • 2篇盛玉荣
  • 1篇叶珂

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2015
  • 14篇2014
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种横向功率器件漂移区的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种横向功率器件漂移区的制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区1上生长一层外延层，进行N型杂质和P型杂质注入，重复步骤a多次；通过退火处理，形成N型掺杂条22和P型掺杂条2...
乔明章文通叶珂祁娇娇薛腾飞张波
文献传递
一种横向高压器件漂移区的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于横向高压器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在横向高压器件漂移区上刻蚀出第一深槽，对第一深槽进行填充并形成第一导电类型杂质条；在横向高压器件漂移...
乔明章文通薛腾飞祁娇娇张波
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过缩小器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本...
乔明文帅张昕薛腾飞齐钊吴文杰张波
文献传递
一种Boost型LED驱动芯片设计
LED是一种新型光源，具有节能、绿色、环保的特性，在各个照明领域开始深入人们的生活。在通用照明方面，白炽灯能量利用率低，节能灯采用了汞材料，会带来环境污染，LED正在取代两者成为照明产品的主体。　　本论文基于PWM调制峰...
薛腾飞
关键词：LED驱动DC-DC变换器电流模式芯片设计
文献传递
一种电平位移电路
本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种具有与耐压管输出端直接相连的后级反相器栅极保护结构的电平位移电路。本发明电平位移电路，包括依次连接的高压电平位移电路(1)、高端CMOS电路(3)、外围自举电路(4)和半桥电路输...
乔明黄军军薛腾飞马金荣齐钊张波
文献传递
一种半导体器件漂移区的制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于半导体器件漂移区的耐压结构的工艺制造方法。本发明所述的制造方法主要步骤为：在漂移区31上进行刻蚀，形成介质槽2；在介质槽2的一侧注入P型杂质，形成P型杂质条43；在介质槽2的另...
乔明章文通祁娇娇薛腾飞张波
文献传递
一种用于ESD的抗闩锁触发电路
本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种用于ESD的抗闩锁触发电路。本发明的电路包括依次连接的检测电路1、输出级电路2和SCR器件；其中，检测电路由电容C11和电阻R12构成；电源VVD依次通过电容C11和电阻R12接...
乔明齐钊马金荣薛腾飞张波
文献传递
一种双环形集成热电堆传感器
一种双环形集成热电堆传感器，涉及温度测量领域。包括呈同心环状分布的内环与外环，内环与外环分别由多个热电偶组成，热电偶包括第一热电极和第二热电极，第一热电极的一端与第二热电极的一端相连接形成工作端，第一热电极的另一端为冷端...
乔明薛腾飞齐钊文帅张波
文献传递
一种ESD瞬态检测电路
本发明涉及电子技术，具体的说是涉及静电泄放防护中的瞬态检测电路。本发明的一种ESD瞬态检测电路，包括由驱动电阻11和驱动电容12组成的驱动网络1、由反相器PMOS管21和反相器NMOS管22组成的控制网络2；其特征在于，...
乔明齐钊马金荣薛腾飞白春蕾樊航蒋苓利张波
文献传递
一种滞回比较器设计被引量：7
2015年
比较器广泛应用于模拟信号到数字信号的转换过程中,在模-数转换过程中,对输入进行采样后的信号通过比较器以决定模拟信号的数字量。滞回比较器也叫迟滞比较器,以其优越的抗噪声能力在比较器中占有重要地位。描述一种滞回比较器,使用少量元件节省成本,滞回电压阈值设计灵活,同时用P管作差分输入管,有较高的共模输入范围,转换速率快。使用0.18μm CMOS工艺分别对转折点压差为200 m V的设计进行仿真,仿真结果与设计预期相符合。
薛腾飞朱江乔明
关键词：模数转换抗噪声能力
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