您的位置： 专家智库 > >

文帅

作品数：19 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 9篇功率器件
  • 9篇半导体
  • 9篇半导体功率器...
  • 6篇功率半导体
  • 6篇功率半导体器...
  • 6篇过渡区
  • 6篇半导体器件
  • 6篇衬底
  • 4篇曲率
  • 4篇热电堆
  • 3篇电偶
  • 3篇漂移区
  • 3篇热电
  • 3篇热电偶
  • 3篇终端结构
  • 3篇网络
  • 3篇结终端
  • 3篇冷端
  • 3篇互连
  • 2篇电路

机构

  • 19篇电子科技大学

作者

  • 19篇文帅
  • 16篇乔明
  • 15篇张波
  • 14篇齐钊
  • 12篇薛腾飞
  • 10篇张昕
  • 6篇吴文杰
  • 2篇曲黎明
  • 2篇牛新征
  • 2篇马金荣
  • 2篇马勇
  • 2篇黄军军
  • 1篇张杨
  • 1篇刘畅
  • 1篇李燕妃
  • 1篇代刚
  • 1篇李松明
  • 1篇周锌

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 9篇2014
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种横向高压MOS器件及其制造方法
本发明涉及半导体功率器件技术领域，涉及一种横向高压MOS器件及其制造方法。本发明的横向高压器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底中的第二导电类型半导体注入漂移区以及源区和漏区，在第二导电...
乔明李燕妃代刚文帅周锌张波
文献传递
一种受限状态下的多集群去中心化调度方法
本发明涉及多集群服务调度领域，特别是涉及一种受限状态下的多集群去中心化调度方法。解决现有技术中多集群服务调度方法存在的缺点，如Master‑Worker架构的单点故障问题、关键数据冗余备份占用大量网络带宽、以及在受限环境...
牛新征马勇文帅阎一赫周亦恺刘畅易志军朱家辉
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过缩小器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本...
乔明文帅张昕薛腾飞齐钊吴文杰张波
文献传递
一种双环形集成热电堆传感器
一种双环形集成热电堆传感器，涉及温度测量领域。包括呈同心环状分布的内环与外环，内环与外环分别由多个热电偶组成，热电偶包括第一热电极和第二热电极，第一热电极的一端与第二热电极的一端相连接形成工作端，第一热电极的另一端为冷端...
乔明薛腾飞齐钊文帅张波
文献传递
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过增加器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本...
乔明文帅张昕薛腾飞齐钊吴文杰张波
文献传递
一种双环形集成热电堆传感器
一种双环形集成热电堆传感器，涉及温度测量领域。包括呈同心环状分布的内环与外环，内环与外环分别由多个热电偶组成，热电偶包括第一热电极和第二热电极，第一热电极的一端与第二热电极的一端相连接形成工作端，第一热电极的另一端为冷端...
乔明薛腾飞齐钊文帅张波
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过缩小器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本...
乔明文帅张昕齐钊薛腾飞吴文杰张波
文献传递
一种用于芯片ESD保护的抗噪声结构
本发明涉及电子技术领域，具体的说是涉及一种用于芯片ESD保护的抗噪声结构。本发明提出的一种用于芯片ESD保护的抗噪声结构对于提高芯片上电后的抗噪声能力有积极效果。该结构通过对传统LVTSCR结构增加抗噪声网络，不但不影响...
乔明齐钊张昕文帅马金荣曲黎明张波
文献传递
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过缩小器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本...
乔明文帅张昕薛腾飞齐钊吴文杰张波
一种横向高压功率半导体器件的结终端结构
本发明涉及半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向高压功率半导体器件的结终端结构。本发明通过缩小器件在曲率结终端处P型衬底和N型漂移区的总面积，从而防止器件在P型衬底区发生提前耗尽，保证器件在曲率结终端处的耐压。本...
乔明文帅张昕齐钊薛腾飞吴文杰张波
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0