- 衬底寄生电阻对高压器件ESD性能的影响被引量：1
- 2011年
- 随着高压集成电路的广泛应用,高压器件的ESD性能越来越受广大设计者的重视。从理论上分析了衬底寄生电阻对高压LDMOS器件ESD特性的影响,采用几种结构,对上述参数进行优化,并在0.35μm BCD工艺下进行流片试验。测试结果表明,优化衬底电阻可以有效地提高器件的ESD泄放能力,最优结构的二次击穿电流由原始器件的0.75A增大到3.3A。
- 林丽娟喻钊韩山明蒋苓利张波
- 关键词：ESD高压器件
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N<Su...
- 蒋苓利樊航张波乔明林丽娟喻钊钟昌贤
- 文献传递
- FPGA全芯片ESD防护设计和优化
- 静电放电是一种普通的自然现象,却是半导体行业中集成电路失效的主要诱因之一,使IC的可靠性面临着重大挑战。随着半导体工艺日新月异的发展,特征尺寸的降低致使IC面临的ESD问题越来越严峻,ESD防护设计也已成为集成电路设计中...
- 喻钊
- 关键词：ESD多电源
- 文献传递
- 一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构
- 一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构，属于电子技术领域。包括两类低压SCR ESD保护器件，第一类器件集成了2个N阱二极管和2个NMOS，其中N阱二极管连接于I/O和VDD之间，NMOS连接于VDD和VSS之间...
- 蒋苓利樊航张波刘娟喻钊
- ESD应力下LDMOS器件软失效的分析及优化被引量：1
- 2012年
- 分析了发生软失效的两种原因:电场诱导和热诱导。针对一种采用0.35μm BCD工艺的LDMOS器件,讨论了改变器件漂移区长度对软泄漏电流的影响。最终通过对漂移区长度以及源端和衬底接触间距的优化,消除了器件原先存在的软泄漏电流现象,并且没有过分增大器件的触发电压。
- 韩山明林丽娟喻钊蒋苓利张波
- 关键词：ESDLDMOS
- 一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构
- 一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构，属于电子技术领域。包括两类低压SCR ESD保护器件，第一类器件集成了2个N阱二极管和2个NMOS，其中N阱二极管连接于I/O和VDD之间，NMOS连接于VDD和VSS之间...
- 蒋苓利樊航张波刘娟喻钊
- 文献传递
- 基于SOI工艺的低压MOSFET器件ESD特性研究
- 基于自主开发的SOI高低压兼容工艺，研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性，分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流片后的TLP测试结果，发现NMOS和PMOS器件的ESD特性有很大的差别，尤其是PMO...
- 韩山明蒋苓利喻钊樊航张波
- 关键词：绝缘层上硅沟道长度
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
- 一种栅控二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的栅控二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为栅控N<Su...
- 蒋苓利樊航张波乔明林丽娟喻钊钟昌贤
