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韩山明

作品数：8 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 4篇电路
  • 3篇ESD
  • 2篇导通
  • 2篇电路结构
  • 2篇内部电路
  • 2篇静电释放
  • 2篇可控硅
  • 2篇可控硅整流
  • 2篇控制电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇硅片
  • 2篇硅整流
  • 2篇二极管
  • 2篇SOI工艺
  • 2篇ESD保护
  • 2篇ESD保护电...
  • 2篇尺寸参数
  • 2篇触发
  • 1篇等离子显示
  • 1篇等离子显示器

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇韩山明
  • 7篇蒋苓利
  • 7篇张波
  • 5篇樊航
  • 4篇刘娟
  • 3篇喻钊
  • 2篇乔明
  • 2篇钟昌贤
  • 2篇林丽娟

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 2篇2012
  • 5篇2011
  • 1篇2010
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种用于集成电路的具有控制电路的ESD保护电路
一种用于集成电路的具有控制电路的ESD保护电路，属于电子技术领域。本发明用单个控制电路来控制多个ESD保护电路，节省控制电路所占的硅片面积。同时在主ESD泄放通道之外提供一些辅助的ESD泄放通道。用控制电路减小ESD保护...
张波樊航蒋苓利韩山明刘娟
文献传递
一种二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
一种二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为N<Sup>+</S...
蒋苓利张波樊航乔明刘娟韩山明钟昌贤
文献传递
衬底寄生电阻对高压器件ESD性能的影响被引量：1
2011年
随着高压集成电路的广泛应用,高压器件的ESD性能越来越受广大设计者的重视。从理论上分析了衬底寄生电阻对高压LDMOS器件ESD特性的影响,采用几种结构,对上述参数进行优化,并在0.35μm BCD工艺下进行流片试验。测试结果表明,优化衬底电阻可以有效地提高器件的ESD泄放能力,最优结构的二次击穿电流由原始器件的0.75A增大到3.3A。
林丽娟喻钊韩山明蒋苓利张波
关键词：ESD高压器件
一种用于集成电路的具有控制电路的ESD保护电路
一种用于集成电路的具有控制电路的ESD保护电路，属于电子技术领域。本发明用单个控制电路来控制多个ESD保护电路，节省控制电路所占的硅片面积。同时在主ESD泄放通道之外提供一些辅助的ESD泄放通道。用控制电路减小ESD保护...
张波樊航蒋苓利韩山明刘娟
一种二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构
一种二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为N<Sup>+</S...
蒋苓利张波樊航乔明刘娟韩山明钟昌贤
ESD应力下LDMOS器件软失效的分析及优化被引量：1
2012年
分析了发生软失效的两种原因:电场诱导和热诱导。针对一种采用0.35μm BCD工艺的LDMOS器件,讨论了改变器件漂移区长度对软泄漏电流的影响。最终通过对漂移区长度以及源端和衬底接触间距的优化,消除了器件原先存在的软泄漏电流现象,并且没有过分增大器件的触发电压。
韩山明林丽娟喻钊蒋苓利张波
关键词：ESDLDMOS
210V SOI工艺PDP行驱动芯片的ESD防护设计
近年来，等离子显示器PDP由于其出色的显示效果已经成为高清电视等高清显示设备的主流产品之一。目前限制PDP显示设备普及的主要因素是制造成本过高，而PDP驱动芯片占整个设备造价的20％左右。因此，保证PDP驱动芯片的可靠性...
韩山明
关键词：SOI工艺
文献传递
基于SOI工艺的低压MOSFET器件ESD特性研究
基于自主开发的SOI高低压兼容工艺，研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性，分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流片后的TLP测试结果，发现NMOS和PMOS器件的ESD特性有很大的差别，尤其是PMO...
韩山明蒋苓利喻钊樊航张波
关键词：绝缘层上硅沟道长度
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