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王雨薇
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湖南大学
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相关领域:
化学工程
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一般工业技术
电气工程
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合作作者
王俊
湖南大学
胡波
湖南大学
张超
湖南大学
张倩
湖南大学
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机构
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湖南大学
作者
10篇
王雨薇
7篇
王俊
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张倩
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张超
2篇
胡波
年份
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2021
1篇
2016
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一种基于健康状态监测提升变换器可靠性的方法
本发明属于开关器件的健康管理技术领域,具体涉及一种基于健康状态监测提升变换器可靠性的方法,包括顺次连接的直流源、变换器拓扑、负载和监测装置,所述变换器拓扑包括开关器件,所述开关器件包括IGBT、SiC MOSFET和Ga...
王俊
胡波
贺敏敏
张超
柯子鹏
梁世维
邓高强
王雨薇
文献传递
一种单片集成续流二极管的SiC MOSFET器件及其制备方法
本发明提供了一种单片集成续流二极管的SiC MOSFET器件及其制备方法。本发明通过在基本的SiC MOSFET结构上进行适当改良,在不增加工艺复杂度的基础上单片集成续流二极管,使得器件在第三象限工作的开启电压降低,反向...
王俊
梁世维
俞恒裕
余康华
王雨薇
刘航志
文献传递
一种基于氮化物缓冲层的碳化硅叠层栅介质结构及其制备方法
本发明公布一种基于氮化物缓冲层的碳化硅叠层栅介质结构,其特征在于,包括碳化硅外延片,所述碳化硅外延片上表面生长或转移有氮化物缓冲层,所述氮化物缓冲层上表面生长有栅介质层。本发明提供一种基于氮化物缓冲层的碳化硅叠层栅介质结...
王雨薇
王俊
梁世维
俞恒裕
文献传递
一种SiC GTO与MESFET集成结构及其制作方法
本发明公布了一种SiC GTO与MESFET集成结构,包括:第一导电类型的衬底,位于衬底上表面的漂移区;位于漂移区上表面的第一基区;贯穿第一基区的隔离沟槽,隔离沟槽将所述第一基区分隔为第一区域和第二区域;填充在隔离沟槽内...
王俊
梁世维
邓雯娟
王雨薇
张倩
文献传递
人民币汇率波动对制造业出口企业投资的影响研究
王雨薇
文献传递
一种SiC GTO与MESFET集成结构及其制作方法
本发明公布了一种SiC GTO与MESFET集成结构,包括:第一导电类型的衬底,位于衬底上表面的漂移区;位于漂移区上表面的第一基区;贯穿第一基区的隔离沟槽,隔离沟槽将所述第一基区分隔为第一区域和第二区域;填充在隔离沟槽内...
王俊
梁世维
邓雯娟
王雨薇
张倩
孙杨药检听证会汉英模拟法庭同传实践报告
随着体育领域的国际交流日益频繁以及中国法治建设进程的加速发展,运动员的法律纠纷案也更加频繁的出现在公众视野中。听证会作为维护体育环境公平、维护运动员权益的法律形式越来越得到重视。相应地,有关法庭场景的口译也逐渐增加,其中...
王雨薇
关键词:
法庭口译
翻译策略
图式理论
一种基于碳纳米管的MEMS复合真空计及其实现方法
本发明提供的复合真空计包括碳纳米管MEMS皮拉尼真空计和碳纳米管MEMS热阴极电离真空计以及控制系统:碳纳米管MEMS皮拉尼真空计包括衬底、碳纳米管和金属电极;碳纳米管MEMS热阴极电离真空计包括衬底、碳纳米管、金属电极...
王雨薇
刘晨溪
一种基于健康状态监测提升变换器可靠性的方法
本发明属于开关器件的健康管理技术领域,具体涉及一种基于健康状态监测提升变换器可靠性的方法,包括顺次连接的直流源、变换器拓扑、负载和监测装置,所述变换器拓扑包括开关器件,所述开关器件包括IGBT、SiC MOSFET和Ga...
王俊
胡波
贺敏敏
张超
柯子鹏
梁世维
邓高强
王雨薇
一种基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法
本发明公布一种基于热氧化AlN介质层的新型SiC绝缘栅介质的制备方法,涉及半导体技术领域,制备方法包括:S10、对SiC外延片表面进行标准RCA清洗;S20、将清洗好的SiC外延片放入腔室1中,通入三甲基铝烷和氨气,在T...
王雨薇
余康华
王俊
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