刘焕明
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 供职机构：香港中文大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 低能离子束原位研究系统的建立及其应用
- 1999年
- 介绍一套具有质量分辨能力的低能离子束原位研究系统及其性能。在该系统中 ,低能离子束能量可调范围为 5～ 2 0 0eV ,束流为 1～ 6 μA ;在 10 0eV的能量下 ,束流密度可达 10 0 μA/cm2 ;离子束能量降至 10eV时 ,束流密度为 10～ 2 0 μA/cm2 。能量分散为± 0 5eV。离子的质量和能量分别由四极质谱仪和筒镜能量分析器表征 ,离子束束流和束流密度分布用两个法拉第杯进行测量。WienFilter的质量分辨率为 4 0。系统上装有XPS ,UPS ,LEED等分析仪器 。
- 邓宗武郭伟民刘焕明曹立礼
- 关键词：低能离子束费米能级磷化铟
- GaAs(110)解理面的能带弯曲被引量：1
- 1999年
- 在真空中解理后，用XPS测得了GaAs样品（110）断面能带弯曲的动态过程．两组重掺杂n型和p型GaAs样品的费米能级分别向禁带中间的方向移动了0.4eV和0．3eV.实验测得重掺杂n型和p型GaAs样品费米能级之差为1．3eV，它们的禁带宽度理论值为1．42eV，这说明结果是合理的．根据实验结果，对引起GaAs表面能带弯曲的可能原因进行了分析讨论．排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因，认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛豫过程中产生的缺陷可能是导致能带弯曲的主要原因．
- 邓宗武郭伟民刘焕明曹立礼
- 关键词：动态过程XPS
- InP(110)解理面的能带弯曲被引量：2
- 1999年
- 用XPS测得了真空解理后InP样品（110）表面能带弯曲的动态过程，并对引起InP表面能带弯曲的可能原因进行了讨论．排除了本征表面态、真空中残留气体和X射线辐射等原因，认为解理过程在表面产生的缺陷和解理后表面晶格弛像产生的缺陷可能是导致能带弯曲的原因．
- 邓宗武郭伟民刘焕明曹立礼
- 关键词：INP磷化铟半导体
- 真空共蒸发沉积制备酞菁铜-酞菁铅复合膜及性能研究被引量：2
- 2002年
- 本文通过真空共蒸发制备了酞菁铜 酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分 ,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带 (Q带 )明显发生宽化 ,其波长覆盖范围扩展到 6 0 0～ 12 0 0nm。进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁铜和酞菁铅吸收谱的简单叠加 ,尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强 ,吸收边有明显的红移现象 ,本文对这一现象进行了简单的描述。
- 季振国朱玲汪茫阙端麟王家为郭伟民刘焕明
- 关键词：复合膜电荷转移光吸收谱
