李炜
- 作品数：8 被引量：34H指数：4
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 微波MEMS移相器的特性分析与实现被引量：4
- 2003年
- 从移相器的基本原理出发,分别介绍了开关线型、耦合器型和加载线型三种采用微机械加工技术制备而成的微波MEMS移相器的结构特点和工作原理。在此基础上,设计制备了CPW分布式加载线型MEMS移相器,并进行测试和分析,结果表明MEMS移相器较传统的移相器有微型化、低损耗、低成本、宽带等突出优点。
- 李炜石艳玲朱自强赖宗声
- 关键词：MEMS移相器微电子机械系统微波集成电路耦合器
- 射频分布式MEMS移相器Bragg频率的研究被引量：3
- 2004年
- 详细讨论了Bragg频率产生的原因及其分析方法,并依据微波网络理论对不同结构参数MEMS移相器的Bragg频率进行了分析比较。计算结果表明Bragg频率随共平面波导信号线宽度增大、随微桥周期间距增大而降低。对特征阻抗50 Ω、周期间距300μm、中心信号线宽度分别为50μm和100μm的MEMS移相器,Bragg频率相应为38.1 GHz和27.6 GHz;对中心信号线宽度为100μm的移相器,当周期间距增加为567μm时,Bragg频率进一步下降到19.6 GHz.对Bragg频率的研究为分布式MEMS移相器优化设计提供了重要依据。
- 卿健石艳玲李炜朱自强赖宗声
- 关键词：微机电系统移相器
- 低阻硅基厚膜聚酰亚胺上共面波导的损耗特性被引量：6
- 2003年
- 制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线 ,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法。聚酰亚胺膜厚 1 1 .5 μm的低阻硅 (0 .5 Ω·cm)上的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为3 .5 d B/cm。然而 ,相同衬底上 ,无聚酰亚胺膜的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为 5 0 d B/cm,损耗特性明显比前者差。测试结果表明聚酰亚胺层的介入能有效地改善传输线的损耗特性 ,且损耗随着聚酰亚胺膜厚的增加而降低。
- 李炜石艳玲忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：共面波导插入损耗聚酰亚胺损耗特性大规模集成电路
- 电容式MEMS开关中弹性膜应力对驱动电压的影响被引量：4
- 2003年
- 详细分析了多种参数对 MEMS电容式开关驱动电压的影响 ,包括材料选取和工艺参数变化 ,并对驱动电压理论值进行计算。利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关 ,测试结果表明采用 Al0 .96 Si0 .0 4弹性膜和厚胶牺牲层工艺能获得适中的剩余应力释放 ,微桥应力约为 10 6 N/m2 ,这为获得较低的开关驱动电压提供了可能。对长 1m m的 MEMS开关 ,当弹性膜厚为 0 .5μm,桥高为 3μm、桥宽为 30 μm、桥长为 2 50 μm时获得了 2 5V的驱动电压 ,S参数测试表明该电容式开关 1～ 4 0 GHz频段内的插入损耗低于 1d B。
- 李炜石艳玲忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：驱动电压微电子机械系统
- 一种用于自动报警的视频监控系统的设计被引量：8
- 2003年
- 文章介绍了一种可实现无人值守下自动报警的视频监控系统的设计。该系统通过对视频信号的提取和图像处理 ,实现了对非法侵入事件的自动报警 ,并具备监控范围可调及屏蔽显示等功能。
- 卿健李炜魏华征
- 关键词：自动报警视频监控系统图像处理信号提取
- 硅基微波MEMS移相器的优化设计与性能分析
- 微波移相器是能改变电磁波相位的器件，广泛应用在相控阵雷达和微波通信系统中。因此高性能的移相器在这些系统中起着至关重要的作用。与传统的移相器相比，MEMS移相器具有频带宽、损耗低、成本低、微型化、易于集成等优点，在微波电路...
- 李炜
- 文献传递
- 偏置电压对射频/微波MEMS电容开关寿命的影响被引量：3
- 2004年
- 理论分析了影响射频/微波MEMS电容开关寿命的因素:介质内的电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度。用三种不同的偏置电压,对介质内电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度进行了数值分析和比较。提出了在脉冲电压作用下,可得到可动薄膜对介质膜最小的冲击速度和介质内的最小电场强度,从而极大地提高MEMS电容开关运行的可靠性和寿命。实验验证了上述结论。
- 龙永福石艳玲赖宗声朱自强朱荣锦忻佩胜李炜
- 关键词：偏置电压电场强度
- 低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器被引量：4
- 2003年
- 通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容 ,外加电压驱动改变电容值 ,可实现级联式MEMS移相器 .本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求 ,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器 ,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压 ,8V时即产生明显的相移量 ,在 36GHz处 15V驱动电压时相移量为 118°,2 5V时为 2 86°.对微结构弹性膜的机械振动寿命测试表明 ,13级级联的MEMS移相器所有弹性膜同步振动的寿命为 3× 10 6次 .为器件的实用化提供了重要保障 .
- 石艳玲卿健李炜忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：高阻硅驱动电压共平面波导
