卿健
- 作品数：12 被引量：30H指数：3
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术电气工程更多>>
- 基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法被引量：2
- 2019年
- 负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究。首先对不同应力条件下PMOS晶体管NBTI退化特性进行测试、建模及模型参数提取,然后建立了基于NBTI效应的VerilogA等效受控电压源,并嵌入Spectre^(TM)仿真库中,并将此受控电压源引入反相器及环形振荡器模块电路中进行可靠性仿真分析,可有效反映NBTI退化对电路性能的影响。提出了一套完整可行的电路NBTI可靠性预测方法,包括NBTI模型、模型参数提取、VerilogA可靠性模型描述以及电路级可靠性仿真分析,可为纳米级高性能、高可靠性集成电路设计提供有效参考。
- 卿健王燕玲李小进石艳玲陈寿面胡少坚
- 纳米MOS器件NBTI效应精准模型及可靠性预测技术研究
- 随着自动驾驶、云计算、工业物联网、人工智能等新领域的迅速崛起,芯片的使用方式也在发生翻天覆地的变化。器件可靠性是集成电路可靠性的基础,由于器件可靠性导致的失效将直接影响芯片的使用寿命。例如,现在汽车的芯片在90%到95%...
- 卿健
- 关键词：NBTI效应
- 文献传递
- 硅基RF MEMS分布式移相器频率特性的模拟分析与设计实现
- 频率特性是移相器设计中需要考虑的重要参数之一.在RF MEMS分布式移相器中,由于周期结构的引入,产生了工作上限截止频率即Bragg频率.本文详细讨论了Bragg频率产生的原因及其分析方法,用Agilent ADS软件对...
- 卿健忻佩胜石艳玲赖宗声朱自强
- 关键词：移相器MEMS结构参数
- 文献传递
- 硅基级联式MEMS移相器
- 一种硅基级联式MEMS移相器，属于微电子机械和微波通讯器件技术领域。背景技术的级联式MEMS移相器，插入损耗低，移相范围大，下拉电压较高。本实用新型的硅基级联式MEMS移相器，不仅插入损耗小、移相范围大，而且下拉电压低。...
- 石艳玲李炜卿健赖宗声朱自强忻佩胜
- 文献传递
- 电容式MEMS开关下拉电压分析与结构优化
- 本文详细分析了多种参数对MEMS电容式开关下拉电压的影响,包括材料选取和工艺参数变化,并对下拉电压理论值进行计算.利用表面微机械加工技术在硅衬底上实现了电容式开关,测试结果表明采用Al<,0.96>Si<,0.04>弹性...
- 李炜卿健石艳玲忻佩胜赖宗声
- 文献传递
- 微型集成天线及射频MEMS技术研究
- 世界各国无人飞行器的发展方兴未艾。机体小型化、传感器综合化、电子系统模块化是无人机未来的发展趋势。随着微型无人机、微纳卫星的出现，迫切需要功能更强、集成度更高、功耗更低的微型集成射频模块。小尺度下传统的硬件集成方法已难以...
- 卿健
- 关键词：集成天线无人飞机芯片集成缝隙天线
- 文献传递
- 一种用于自动报警的视频监控系统的设计被引量：8
- 2003年
- 文章介绍了一种可实现无人值守下自动报警的视频监控系统的设计。该系统通过对视频信号的提取和图像处理 ,实现了对非法侵入事件的自动报警 ,并具备监控范围可调及屏蔽显示等功能。
- 卿健李炜魏华征
- 关键词：自动报警视频监控系统图像处理信号提取
- 高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器被引量：3
- 2002年
- 级联式 MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化 ,来改变传输线的特性阻抗和相速 ,达到相移的目的 .文中讨论了 MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求 ,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜 ,获得了较低的下拉电压 .测试结果表明 ,相移器的下拉电压不大于 4 0 V,且当控制电压大于 10 V时 ,即有明显的相移 .该 MEMS相移器制备于电阻率大于 4 0 0 0 Ω· cm的高阻硅衬底上 ,获得了较好的传输特性 ,在整个测试频段 1～ 4 0 GHz,S2 1 均小于 3d B,并在 2 5 V时获得了大于 2 5°的相移量 .
- 石艳玲卿健忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：高阻硅
- MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用被引量：9
- 2002年
- 从传统移相器的构造和原理出发 ,进一步分析了 MEMS移相器的结构、特性。结果表明 ,MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展 ,MEMS移相器介质损耗大幅度降低 ,将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上 。
- 卿健石艳玲赖宗声朱自强
- 关键词：MEMS移相器PIN二极管通信系统
- 低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器被引量：4
- 2003年
- 通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容 ,外加电压驱动改变电容值 ,可实现级联式MEMS移相器 .本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求 ,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器 ,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压 ,8V时即产生明显的相移量 ,在 36GHz处 15V驱动电压时相移量为 118°,2 5V时为 2 86°.对微结构弹性膜的机械振动寿命测试表明 ,13级级联的MEMS移相器所有弹性膜同步振动的寿命为 3× 10 6次 .为器件的实用化提供了重要保障 .
- 石艳玲卿健李炜忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：高阻硅驱动电压共平面波导
