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杨磊

作品数：5 被引量：9H指数：1
供职机构：华中理工大学电力工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇真空
  • 2篇真空电弧
  • 2篇真空电弧镀膜
  • 2篇真空镀膜
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体参数
  • 1篇扫描电镜
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇分布计算
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇TIN膜
  • 1篇磁控

机构

  • 5篇华中理工大学

作者

  • 5篇邹积岩
  • 5篇杨磊
  • 4篇程仲元
  • 1篇程礼椿
  • 1篇欧阳红林
  • 1篇王浩

传媒

  • 4篇微细加工技术
  • 1篇应用科学学报

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 2篇1995
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
真空电弧沉积簿膜厚度分布计算被引量：1
1995年
该文从离子电流密度空间分布函数的角度出发，针对自由电弧沉积和磁场控制电弧沉积两种情况，分别提出了单斑点和多斑点计算模型，进行了平面基片上真空电弧沉积的金属薄膜厚度分布的计算。计算结果表明，自由电弧沉积的膜厚分布曲线存在峰值现象，而磁控电弧沉积的膜厚分布曲线可使该峰值现象得到消除；同时，磁控电弧沉积的膜厚分布均匀性与阴极半径和基片配置距离密切相关，当两者比值选取适当时，可获得较均匀的膜厚分布；旋转基片上所获得的膜厚分布均匀性较之静止基片上获得的膜厚分布均匀性要好。理论计算值与实验测量值吻合。
王浩邹积岩杨磊程礼椿欧阳红林
纯净化真空电弧沉积非晶硅薄膜
1996年
本文阐述了真空电弧沉积（ＶＡＤ）的各种净化方法，并讨论了纯净化的真空电弧在非晶硅膜层沉积方面的应用，包括在制造太阳能电池方面的应用前景。分析表明，真空电弧沉积非晶硅膜，关键在于合理设计弧源使电弧纯净化，采取各种有效方法抑制宏观颗粒对膜层的污染，同时采用适当的等离子体诊断设备，通过调节等离子体微观参数来控制膜层质量。
邹积岩程仲元杨磊
关键词：非晶硅薄膜半导体材料
磁控真空电弧沉积TiN膜的扫描电镜分析被引量：1
1996年
利用扫描电镜，分析了磁控电弧沉积的氨化钛膜微观形貌。实验表明，阴极磁场对膜层的形貌有显著的影响，合理的磁场设计可减少膜层中的宏观颗粒（ＭＰ）；膜的表面形貌主要受ＭＰ的影响，但当基片表面起弧时，弧痕对表面形貌的影响比ＭＰ的影响大；ＭＰ粒径多数在１～３微米之间，但少数的ＭＰ也可能大于十几微米或１微米以下。对ＭＰ的形貌分析表明，ＭＰ的形态与其粒径有关，较小的ＭＰ顶部呈圆球形，而较大的ＭＰ顶部扁平，且底部有微孔。
程仲元邹积岩杨磊
关键词：扫描电镜真空镀膜
真空电弧镀膜等离子体参数的测量被引量：1
1997年
本文介绍了真空电弧镀膜（VAD）环境下用法拉第杯分析等离子参数的实验系统。利用该系统，着重测量了气压、电流等参数对离子能量的影响，以及离子能量在固定位置的角分布。由测量结果，讨论了VAD中的复合离子参数值（Ep），在100A、0．66Pa、偏压-100V下，典型的最大离子能量为75eV，到达工件Ep值为8286V／atom。
邹积岩杨磊程仲元张汉明
关键词：真空电弧镀膜等离子体
用于真空电弧涂镀中的静电探针诊断装置被引量：6
1995年
本文介绍了一套能准确诊断真空电弧等离子体参数的Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针系统。测得典型参数：电子温度０．６－０．７ｅＶ，等离子体电位２Ｖ，电子浓度２×１０￣（１５）／ｍ￣３。该装置可用于自动监控成膜过程。
杨磊邹积岩程仲元张汉明
关键词：真空电弧镀膜真空镀膜
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