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胡雪涛

作品数:4 被引量:22H指数:3
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇溅射
  • 2篇玻璃薄膜
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇性能研究
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇矫顽力
  • 1篇高矫顽力
  • 1篇磁编码器
  • 1篇磁性能

机构

  • 4篇华中科技大学

作者

  • 4篇胡雪涛
  • 3篇李佐宜
  • 3篇林更琪
  • 3篇廖红伟
  • 3篇王浩敏
  • 2篇蔡长波
  • 1篇王翔
  • 1篇李震
  • 1篇杨晓非

传媒

  • 2篇光电子技术与...
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇信息记录材料

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2001
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
光波导用玻璃薄膜的制备及其性能研究被引量:11
2002年
采用磁控射频溅射法制备光波导用玻璃薄膜。本文重点分析了不同溅射条件如氧分压、基片种类、基片温度下制备的薄膜光学性能,通过比较,得到制备0.6328μm和1.55μm窗口下光波导器件用玻璃薄膜所需溅射条件。
王浩敏李佐宜林更琪胡雪涛廖红伟
关键词:玻璃薄膜
磁编码器多极磁鼓空间磁场分布研究被引量:6
2001年
本文通过对磁编码器磁鼓空间磁场分布的理论计算和定性分析,找出场点位置、磁极数、磁层厚度和磁鼓形状等因素对磁场空间分布的影响,阐明在一定条件下,磁阻探头存在一最佳空间放置点。
廖红伟杨晓非蔡长波王浩敏胡雪涛
关键词:磁编码器
高矫顽力SmCo(Al,Si)/Cr薄膜的研究被引量:3
2001年
通过对磁控溅射条件的优化 ,制备出了较理想的 Sm Co(Al,Si) /Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出 ,在 Sm含量 (摩尔分数 )为 31 .6% ,Cr缓冲层为 66nm,Sm(Co,Al,Si) 5磁性层为 30 nm的条件下 ,制得的 Sm(Co,Al,Si) 5/Cr薄膜的矫顽力 Hc 为 1 87.8k A/m,剩磁比 S =Mr/Ms≈ 0 .94。在 50 0℃退火 2 5min后 ,矫顽力 Hc 达到1 0 4 2 .5k A/m,剩磁比 S≈ 0 .92。
王翔李佐宜林更琪蔡长波胡雪涛李震LI Zhen
关键词:矫顽力磁性能磁控溅射
磁控射频溅射法制备光波导薄膜研究被引量:2
2001年
采用磁控射频溅射法制备了用作光波导器件的玻璃薄膜。通过选取不同的溅射材料,在不同溅射条件下制备的玻璃薄膜的光学参数进行的测量、比较,并对其作为光波导的性能进行研究,通过理论上推导与计算,得出了在1,55um窗口下制备光波导器件的玻璃薄膜所应具备的溅射条件。
胡雪涛李佐宜林更琪王浩敏廖红伟
关键词:玻璃薄膜磁控溅射
共1页<1>
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