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吴艳辉

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：弥亚微电子(上海)有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比
  • 1篇温度系数
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...
  • 1篇CMOS带隙...

机构

  • 1篇华中科技大学
  • 1篇弥亚微电子(...

作者

  • 1篇张道礼
  • 1篇梁延彬
  • 1篇陈胜
  • 1篇吴艳辉

传媒

  • 1篇华中科技大学...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源被引量：2
2007年
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.
张道礼梁延彬吴艳辉陈胜
关键词：带隙基准温度系数电源抑制比
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共1页<1>
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