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梁延彬

作品数：3 被引量：10H指数：2
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇电路
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇调制器
  • 1篇抑制比
  • 1篇噪声整形
  • 1篇扫描电镜
  • 1篇射线衍射
  • 1篇温度系数
  • 1篇粒度
  • 1篇开关电容
  • 1篇开关电容电路
  • 1篇化学共沉淀
  • 1篇化学共沉淀法
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇共沉淀法

机构

  • 3篇华中科技大学
  • 1篇弥亚微电子(...

作者

  • 3篇梁延彬
  • 2篇张道礼
  • 1篇程有光
  • 1篇陈胜
  • 1篇吴艳辉
  • 1篇陶亮

传媒

  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇压电与声光

年份

  • 3篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源被引量：2
2007年
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用CMOS技术,设计一种高性能的带隙基准电压源.带隙基准电压源输出电压经过电平转换电路,反馈回带隙基准电压源中的运算放大器,可以获得良好的电源特性和带负载能力.采用可修调电阻阵列,精确地控制温度系数.仿真结果表明:在5 V电源电压下,温度系数为8.28×10-6/℃,低频电源抑制比为83 dB.
张道礼梁延彬吴艳辉陈胜
关键词：带隙基准温度系数电源抑制比
化学共沉淀工艺对ATO粉体粒度的影响被引量：7
2007年
采用化学共沉淀法制备掺锑二氧化锡粉体（ATO），用x-射线衍射法和扫描电子显微镜对粉体粒度作了表征。系统研究了退火温度、反应体系pH值、掺锑量和煅烧温度等工艺参数对最终粉体粒径的影响规律，并得到了最佳工艺操作参数：反应体系pH值应选1～3较低范围内，锑掺杂剂摩尔分数在5％，热处理温度应控制在550-650℃。用量子尺寸效应和能带理论解释了所得粉体的发色机理。
陶亮张道礼梁延彬程有光
关键词：掺锑二氧化锡化学共沉淀法X-射线衍射扫描电镜
二阶16位精度Delta-Sigma调制器的设计
Delta-Sigma ADC是抗电路非理想性的最稳定的ADC,在目前大多数数字混合系统中占有重要地位。Delta-Sigma ADC由Delta-Sigma调制器(DSM)和数字抽取器组成,整体Delta-Sigma ...
梁延彬
关键词：DELTA-SIGMA调制器过采样噪声整形开关电容电路
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