米国鑫
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术机械工程更多>>
- 低阈值单横模852nm半导体激光器被引量：1
- 2017年
- 基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低闽值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发射激光器的单基侧模稳定输出,同时激射波长可以精确调谐到852 nm;工作电流达到150 mA,工作温度30℃;斜率效率最高可达0.89 nW/mA,光谱半宽小于1 nm.研究结果为进一步实现超窄线宽激光器提供了参考和借鉴,并且为实现激光器稳定输出提供了实验基础.
- 刘储关宝璐米国鑫廖翌如刘振扬李建军徐晨
- GaAsP量子阱808nm半导体激光器的制备
- 半导体激光器以其功率高，寿命长的优点得到了广泛应用，增大激光功率和可靠性也一直是半导体激光器领域的研究重点。其中，灾变性光学镜面损伤(COD)是影响半导体激光器光最大光功率的重要因素。
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- 852nm半导体激光器的结构设计与制备
- 半导体激光器凭借体积小、重量轻、转换效率高、寿命长等优势,被广泛的应用于光纤通信、数据存储、全息技术、长度和速率测量、扫描打印等众多方面,其应用覆盖了民用和国防的诸多领域。852nm半导体激光器以其独特的波长特性作为铯原...
- 米国鑫
- 关键词：MOCVD波导结构单模
- 文献传递
- 852nm窄脊宽半导体激光器的制备
- 半导体激光器有着体积小、电光转换效率高、使用方便等优点，被人们广泛的使用在医学、通信、卫星导航等领域。其中，在卫星导航领域中，铯原子钟可以精确测定导航系统中时间，而波长为852nm 的半导体激光器则是铯原子钟进行高精度时...
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- 高功率980nm半导体激光器有源区制备中的Ⅴ/Ⅲ比优化被引量：1
- 2017年
- 高质量的MOCVD外延材料是研制高性能半导体光电器件的基础。通过制作简单的量子阱结构,利用光荧光系统进行快速表征,得到Ⅴ/Ⅲ比不但会影响PL的强度,还会影响片内均匀性的结论。根据标准偏差统计法,确定了InGaAs量子阱外延的最佳Ⅴ/Ⅲ比为35。基于优化的外延参数,制备了波长为980nm的半导体激光器,在15A脉冲电流下,腔面未镀膜时器件的平均输出功率为9.6W,中心波长为977.2nm。研究结果为半导体激光器的研制提供了一种快速有效的方法。
- 米国鑫李建军廖翌如王元诚王海阔邓军韩军
- 关键词：半导体激光器MOCVDPL
- 低阈值852nm半导体激光器的温度特性被引量：4
- 2017年
- 通过金属有机化学气相淀积(MOCVD)和半导体后工艺技术制备了852 nm半导体激光器,它在室温下的阈值电流为57.5 m A,输出的光谱线宽小于1 nm。测试分析了激光器的输出光功率、阈值电流、电压、输出中心波长随温度的变化。测试结果表明,当温度变化范围为293~328 K时,阈值电流的变化速率为0.447m A/K,特征温度T0为142.25 K,输出的光功率变化率为0.63 m W/K。通过计算求得理想因子n为2.11,激光器热阻为77.7 K/W,中心波长漂移速率是0.249 29 nm/K,实验得出的中心波长漂移速率与理论计算结果相符。实验结果表明,该半导体器件在293~303 K的温度范围内,各特性参数能够保持相对良好的状态。器件如果工作在高温环境,需要添加控温设备以保证器件在良好状态下运行。
- 廖翌如关宝璐李建军刘储米国鑫徐晨
- 关键词：温度特性阈值电流
