刘振扬
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于导模共振的单偏振窄线宽VCSEL的模拟与设计
- 垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，缩写为VCSEL）属于半导体激光器的一种，相比于一般用切开的独立芯片制成、边出射激光的边发射型激光，其激光垂直于顶面射出。...
- 刘振扬
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 一种导模共振光栅窄线宽垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 本发明提供一种导模共振光栅窄线宽垂直腔面发射激光器及其制备方法，利用微纳光栅导模共振效应，将高反射、窄共振线宽的亚波长导模共振微腔结构作为垂直腔面发射激光器一部分，从而达到更窄的激光线宽，更宽的高反带宽，更小的体积和稳定...
- 关宝璐刘振扬李鹏涛胡丕丽梁津
- 文献传递
- 一种带有DBR光栅结构的852nm窄线宽边发射激光器及其制备方法
- 一种带有DBR光栅结构的852nm窄线宽边发射激光器及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。因为边发射激光器谐振腔长度的原因，其不容易直接实现单纵模输出，所以本发明要改进边发射激光器激射激光的单纵模窄线宽特性。通过电子束...
- 关宝璐刘储李建军江孝伟潘冠中李鹏涛刘振扬杨嘉炜徐晨
- 文献传递
- 独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法
- 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源...
- 关宝璐李鹏涛赵永东刘储李保志杨嘉炜刘振扬郭燕玲梁津胡丕丽
- 文献传递
- 低阈值单横模852nm半导体激光器被引量：1
- 2017年
- 基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低闽值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发射激光器的单基侧模稳定输出,同时激射波长可以精确调谐到852 nm;工作电流达到150 mA,工作温度30℃;斜率效率最高可达0.89 nW/mA,光谱半宽小于1 nm.研究结果为进一步实现超窄线宽激光器提供了参考和借鉴,并且为实现激光器稳定输出提供了实验基础.
- 刘储关宝璐米国鑫廖翌如刘振扬李建军徐晨
- 独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法
- 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源...
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- 基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统
- 基于延时自外差法测量852nm半导体激光器超窄线宽测试系统，属于半导体光电子技术领域。包括：半导体激光器、第一3dB耦合器、延时多模光纤、声光移频器、第二3dB耦合器、光电探测器和频谱仪组成；半导体激光器输出端口为FC/...
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- 超窄线宽导模共振滤波器的设计被引量：3
- 2019年
- 亚波长光栅导模共振滤波器,具有高峰值反射率、低旁带反射和窄带等特点,能够实现基于高低折射率介质的滤波器所无法达到的独特功能。设计了中心波长为852nm的带有间隔层、线宽可控的超窄线宽导模共振滤波器,并分析了主要参数对反射光谱的影响。选择弱调制的介质作为光栅层,并在光栅层和波导层之间插入一层低折射率的介质作为间隔层来减小光栅层和波导层之间的耦合强度,进而使导模共振滤波器的线宽达到0.02nm的超窄程度,并且该结构中的光栅厚度、占空比等对反射光谱的影响极小,均利于其工艺制备。
- 刘振扬关宝璐胡丕丽梁津
- 关键词：亚波长光栅导模共振滤波器
