您的位置: 专家智库 > >

陈颖

作品数:13 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 6篇版图
  • 4篇电路
  • 4篇特征向量
  • 4篇向量
  • 4篇集成电路
  • 3篇坏点
  • 3篇光刻
  • 2篇电路技术
  • 2篇训练数据
  • 2篇掩模
  • 2篇掩模版
  • 2篇设计过程
  • 2篇搜索
  • 2篇切片
  • 2篇可制造性
  • 2篇集成电路技术
  • 2篇计算量
  • 2篇光学
  • 2篇光学模型
  • 2篇分出

机构

  • 13篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院大...
  • 2篇中芯国际集成...
  • 2篇广东省大湾区...
  • 1篇中芯国际集成...

作者

  • 13篇陈颖
  • 12篇韦亚一
  • 10篇粟雅娟
  • 3篇董立松
  • 2篇张利斌
  • 2篇段英丽

传媒

  • 2篇微电子学
  • 2篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种生成设计版图坏点检测模型的方法及检测坏点的方法
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种生成设计版图坏点检测模型的方法及检测坏点的方法,该生成设计版图坏点检测模型的方法包括:基于已知版图中已标记的坏点位置,获得潜在坏点的规律;基于潜在坏点的规律,从已知版图的坏点位置中...
盖天洋韦亚一粟雅娟陈颖
一种版图特征提取的超参数确定方法、装置及介质
本发明公开了一种版图特征提取的超参数确定方法、装置及介质,方法包括:按照初始尺寸的采样窗口分别对版图上的N个样本点进行采样,对应获得N幅版图切片,N个样本点对应有N组属性参数;根据单像素物理尺寸分别对所述N幅版图切片进行...
盖天洋韦亚一粟雅娟陈颖
文献传递
针对更精确电迁移预测应用的热耦合模型建模
2020年
基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息。在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征。考虑到晶体管参数、金属线走向、金属线之间相对位置对热传输比率的影响,模型中引入相关因子对热传输比率做进一步修正。最后,将该热传输模型嵌入到商用仿真软件中。结果表明,热传输比率(即温度)的仿真值与基于工艺平台流片的实测值吻合良好,验证了模型的准确性。
杨双石新新伍宏粟雅娟董立松陈睿张利斌苏晓菁陈颖陈颖郭成屈通韦亚一
关键词:金属线电迁移
一种版图设计规则的优化方法及系统
本发明提供一种版图设计规则的优化方法,针对先进技术节点的研发,通过将初始版图拆分出关键图形,以关键图形作为后续仿真优化的版图,在优化时,通过光源掩模协同优化仿真确定合理的光源和配套掩模版以及优化后的光刻光学模型,而后在该...
苏晓菁陈颖段英丽韦亚一
文献传递
化学外延方式的嵌段共聚物定向自组装
2020年
定向自组装(DSA)是一种新型的光刻分辨率增强技术,为了探究制约DSA应用于大规模集成电路制造的因素,采用仿真手段评估了DSA工艺条件以及不同版图设计对DSA的影响。基于Cahn-Hilliard方程,模拟了不同"吸附"强度及退火时间下的线条图形光刻轮廓,分析了上述工艺条件对光刻结果的影响,发现增加退火时间、增强衬底的"吸附"强度可以有效减小电路制造缺陷。基于7 nm设计规则,改变引导图形周期,得到线条图形线宽粗糙度(LWR)以及通孔图形的光刻轮廓图,分析了引导图形周期和LWR及轮廓图质量的关系,得出当引导图形周期为2倍共聚物自然周期(2L0)时,可以得到更好的光刻图形质量,并通过2L0周期扰动实验进一步验证了该结论。
郭成粟雅娟陈睿董立松张利斌陈颖盖天洋韦亚一
关键词:光刻大规模集成电路
一种光刻掩膜板缺陷检测方法及设备和芯片
本发明公开了一种光刻掩膜板缺陷检测方法及设备和芯片,涉及光刻技术领域,以降低掩膜板的缺陷检测成本的同时,加快检测速度的同时,提高缺陷检测准确率。所述光刻掩膜板缺陷检测方法包括:获取待测掩膜板的光刻投影,所形成的空间图像分...
陈颖韦亚一董立松陈睿吴睿轩粟雅娟
文献传递
NC-FinFET器件的仿真研究
2020年
通过结合BSIMCMG模型与负电容(NC)模型,构建了NC-FinFET模型。基于所建立的NC-FinFET模型,推导分析了其等效电容模型。利用Hspice对NC-FinFET的器件特性进行了系统仿真与分析。结果表明,与FinFET相比,NC-FinFET在电学特性上有更加明显的优势,亚阈值摆幅更低。此外,分析了铁电材料的厚度对亚阈值摆幅及栅压放大倍数的影响,以及衬偏电压对NC-FinFET性能的影响,为在NC-FinFET中降低功耗和抑制寄生效应提供了理论依据和解决思路。
杨荣强钱雅倩粟雅娟粟雅娟陈睿陈颖盖天洋陈颖屈通韦亚一
关键词:负电容
一种版图测试图形提取方法、装置、设备及介质
本发明公开了一种版图测试图形提取方法、装置、设备及介质,方法包括:在目标版图上搜索出多个目标区域,在每个所述目标区域处均设置采样点;根据采样点,对所述目标版图进行切片,提取出多个切片图形;将每个切片图形均划分为网格状,并...
盖天洋韦亚一粟雅娟陈颖
文献传递
坏点库的建立方法和建立系统
本申请提供了一种坏点库的建立方法和建立系统。该建立方法包括:步骤S1,规则收集,规则包括版图设计规则;步骤S2,根据收集到的规则,生成随机版图;步骤S3,在随机版图中选取版图区域,并对版图区域进行光学仿真,得到限制工艺窗...
陈颖韦亚一粟雅娟
文献传递
一种生成设计版图坏点检测模型的方法及检测坏点的方法
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种生成设计版图坏点检测模型的方法及检测坏点的方法,该生成设计版图坏点检测模型的方法包括:基于已知版图中已标记的坏点位置,获得潜在坏点的规律;基于潜在坏点的规律,从已知版图的坏点位置中...
盖天洋韦亚一粟雅娟陈颖
共2页<12>
聚类工具0