李建军
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- Zn(O,S)薄膜制备及在CZTSe电池中的应用
- 传统的薄膜电池采用CdS做缓冲层,但出于保护环境的角度不鼓励CdS材料的使用,因为它是有毒材料,而且窄的带隙(2.4eV)会减少光的短波透过率,为了提升电池对太阳光的充分利用需要一种更宽带隙的缓冲层,本文对无镉材料Zn(...
- 刘晓茹李建军周志强敖建平刘玮孙云张毅
- 关键词：透射谱反射谱退火
- 从材料制备出发研究Cu2ZnSn(Se,S)4薄膜太阳电池
- 本文综述了本研究组近年来在CZTSSe薄膜电池研究方面的进展。从合成CZTSSe薄膜材料入手，制备了CZTSSe薄膜电池，目前磁控溅射法制备的最高效率为10.4％，蒸发法制备的最高效率为1.67%，电沉积法制备的最高效率...
- 张毅李建军姚立勇赵微王继国敖建平孙云
- 关键词：薄膜太阳电池化合物半导体
- 溅射硒化法制备CZTSe薄膜及太阳电池研究进展
- 由于CZTSSe的成相区域较小,使得在CZTSSe合成过程中很容易产生Zn（S,Se）,Sn（S,Se）2,和Cu2（S,Se）等杂相,产生的Sn（S,Se）在反应过程中容易挥发流失造成薄膜Sn损失严重,而且生成的CZT...
- 张毅李建军刘晓茹孙云
- 关键词：欧姆接触薄膜太阳电池
- 文献传递
- 10.4%的CZTSe薄膜太阳电池的制备
- Cu2ZnSnSe4(CZTSe)作为CIGS 的替代材料,是一种具有巨大发展潜力的新型低成本化合物半导体薄膜太阳电池.本文采用溅射后硒化的方法研究了在不同Se 蒸汽下CZTSe 薄膜的生长过程.研究发现Se 蒸汽成分对...
- 李建军陈城周志强刘芳芳孙云韩俊波张毅
- 关键词：CU含量
- CZTSe薄膜的应力起源及反应机制
- 如何确保薄膜在衬底上牢固生长是研制太阳电池的重要工程问题。本报告中将分析CZTSe薄膜应力来源及如何防止并消除该应力,保证CZTSe薄膜能够牢固的在衬底上生长。同时,将探讨溅射硒化法制备CZTSe薄膜的生长机理,探索高效...
- 李建军张毅
- 关键词：太阳电池应力
- 文献传递
- Cu2ZnSn(S,Se)4太阳电池耗尽区宽度的改善及高效电池
- 张毅李建军
- 溅射硒化法制备Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳电池:从材料制备到器件研究
- Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4(CZTSSe)是一种锌黄锡矿结构(kesterite)直接带隙半导体材料。相比于传统高效薄膜太阳电池CIGS 和CdTe,CZTSSe 的原料储量丰富,环境友好。因此,CZTSSe ...
- 张毅武莉李建军孙云
- 关键词：欧姆接触薄膜太阳电池
- Cu2ZnSn（S,Se）4薄膜太阳电池异质结调控
- 近年来,Cu2ZnSn（S,Se）4（CZTSSe）薄膜太阳电池由于其组成元素储量丰富、无毒、性能稳定等优点受到了广泛关注。目前CZTSSe薄膜太阳电池的世界最高效率是由美国IBM研究中心的Mitzi教授报道的12.6%...
- 张毅李建军刘晓茹孙云
- 关键词：欧姆接触异质结
- 文献传递
- 沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu_2ZnSnSe_4薄膜电池的影响
- 2017年
- 无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响。通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态。通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%)。通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒。将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%。
- 刘晓茹李建军刘玮刘芳芳敖建平孙云周志强张毅
- Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太阳电池的欧姆接触及耗尽区宽度研究
- Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe)是与Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)结构和性能相似的化合物半导体材料,是作为半导体薄膜太阳能电池的理想吸收层材料[1-3].磁控溅射法是一种适用于未来薄膜太阳能电池大规...
- 张毅李建军武莉
