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高宏伟

作品数：39 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国家留学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 17篇氮化物
  • 17篇半导体
  • 11篇III族
  • 10篇势垒
  • 9篇导体
  • 9篇势垒层
  • 9篇III族氮化...
  • 7篇氮化物半导体
  • 7篇增强型
  • 7篇发光
  • 6篇二极管
  • 6篇发光二极管
  • 5篇电学
  • 5篇电学特性
  • 5篇外延片
  • 5篇刻蚀
  • 5篇HEMT器件
  • 4篇氮化镓
  • 4篇电压
  • 4篇栅极

机构

  • 39篇中国科学院
  • 1篇南京邮电大学

作者

  • 39篇高宏伟
  • 38篇孙钱
  • 33篇杨辉
  • 30篇周宇
  • 22篇冯美鑫
  • 8篇李水明
  • 6篇戴淑君
  • 2篇孙建东
  • 2篇秦华
  • 2篇陈沁
  • 2篇文龙
  • 1篇张书明
  • 1篇刘启发

传媒

  • 1篇光学精密工程

年份

  • 4篇2024
  • 6篇2023
  • 5篇2022
  • 5篇2021
  • 3篇2020
  • 8篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
III族氮化物紫外发光二极管及其制作方法
本发明公开了一种III族氮化物紫外发光二极管及其制作方法。所述的制作方法包括：在衬底上依次生长成核层、Al<Sub>x2</Sub>Ga<Sub>1‑x2</Sub>N层或AlN厚层以及氮化物紫外发光二极管结构，获得外延...
孙钱冯美鑫高宏伟周宇杨辉
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硅基氮化镓外延结构及其制备方法
本发明公开了一种硅基氮化镓材料外延结构及其制备方法。所述硅基氮化镓外延结构的制备方法包括：在硅衬底上生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长准二维GaN超薄浸润岛；使所述准二维GaN超薄浸润岛在很小的厚度范围内合并，形...
孙钱刘建勋孙秀建詹晓宁高宏伟黄应南杨辉
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氮化物半导体发光器件及其制作方法
本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为<Image file="DDA0001208294900000011....
孙钱冯美鑫周宇高宏伟杨辉
肖特基结的特性调控方法、结构及其应用
本申请公开了一种肖特基结的特性调控方法、结构及其应用。所述特性调控方法包括：使金属电极与宽禁带半导体形成肖特基接触，该金属电极用于与宽禁带半导体接触的表面具有第一、第二区域，第一、第二区域分别由第一、第二金属形成，第二区...
葛鑫晨杨辉孙钱郭小路钟耀宗张书明陈昕高宏伟孙秀建
氮化镓电子器件及其制备方法
本发明公开了一种氮化镓电子器件及其制备方法。所述制备方法包括：提供外延结构层，所述外延结构层包括依次叠层设置在衬底上的轻掺杂GaN层、含铝的III族氮化物半导体插入层和p型GaN层；对所述p型GaN层表面的指定区域进行加...
孙钱刘建勋郭小路周宇苏帅孙秀建高宏伟杨辉
基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含第一、二半导体层组成的异质结以及与该异质结连接的源、栅、漏电极，该第二半导体层中分布有至少可供置入栅电极下部的槽状结构。该第一、二半导...
周宇孙钱李水明陈小雪戴淑君高宏伟冯美鑫杨辉
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GaN基增强型HEMT器件的制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT的制备方法，包括：以含氧的刻蚀气体等对HEMT的外延结构中的选定区域进行刻蚀，使所述选定区域中的选定材料(例如含铝物质)与含氧物质反应，直至形成能将刻蚀面覆盖的耐刻蚀物质，从而阻止刻...
周宇钟耀宗孙钱冯美鑫高宏伟杨辉
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氮化物半导体垂直腔面发射激光器、其制作方法与应用
本发明公开了一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器、其制作方法及应用。所述氮化物半导体垂直腔面发射激光器(VCSEL)包括沿设定方向依次设置的n侧DBR结构、有源区和p侧DBR结构，所述激光器的n侧形成有电流限制结构。进一步...
孙钱刘建勋冯美鑫黄应南周宇高宏伟杨辉
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III族氮化物半导体隧道结及其制备方法与应用
本发明公开了一种III族氮化物半导体隧道结及其制备方法与应用。所述氮化物半导体隧道结的制备方法包括：形成包含p型氮化物层和n型氮化物层的隧道结；至少使所述p型氮化物层的局部区域暴露在外；对所述隧道结进行热处理，使所述p型...
孙钱冯美鑫高宏伟周宇杨辉
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具有单片集成结构的光电收发芯片、其制作方法与应用
本发明公开了一种具有单片集成结构的光电收发芯片、其制作方法及应用。所述单片集成的光电收发芯片包括集成设置的发光二极管与光探测器，所述发光二极管与光探测器之间设置有反射镜结构，所述反射镜结构至少用于防止所述发光二极管发射的...
孙钱陈沁冯美鑫文龙刘建勋黄应南高宏伟周宇杨辉
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