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周宇

作品数：45 被引量：9H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 16篇氮化物
  • 16篇半导体
  • 13篇势垒
  • 13篇势垒层
  • 12篇发光
  • 11篇III族
  • 10篇二极管
  • 10篇发光二极管
  • 9篇III族氮化...
  • 8篇辐射发光
  • 8篇超辐射
  • 8篇超辐射发光二...
  • 7篇电子迁移率
  • 7篇迁移率
  • 7篇刻蚀
  • 6篇氮化物半导体
  • 6篇导体
  • 6篇增强型
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇阈值电流

机构

  • 45篇中国科学院
  • 2篇华中科技大学
  • 2篇武汉大学
  • 1篇中国科学院苏...

作者

  • 45篇周宇
  • 37篇孙钱
  • 31篇杨辉
  • 30篇高宏伟
  • 27篇冯美鑫
  • 8篇李水明
  • 6篇孙建东
  • 6篇秦华
  • 6篇戴淑君
  • 4篇吴东岷
  • 4篇张宝顺
  • 4篇曾春红
  • 4篇孙云飞
  • 3篇张书明
  • 2篇张立群
  • 2篇李德尧
  • 2篇刘建平
  • 2篇陈沁
  • 2篇文龙
  • 2篇池田昌夫

传媒

  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇2010(第...

年份

  • 2篇2024
  • 6篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 10篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
III族氮化物紫外发光二极管及其制作方法
本发明公开了一种III族氮化物紫外发光二极管及其制作方法。所述的制作方法包括：在衬底上依次生长成核层、Al<Sub>x2</Sub>Ga<Sub>1‑x2</Sub>N层或AlN厚层以及氮化物紫外发光二极管结构，获得外延...
孙钱冯美鑫高宏伟周宇杨辉
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氮化物半导体发光器件及其制作方法
本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为<Image file="DDA0001208294900000011....
孙钱冯美鑫周宇高宏伟杨辉
GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法
本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层...
孙钱冯美鑫周宇杨辉池田昌夫刘建平张书明李德尧张立群
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氮化镓电子器件及其制备方法
本发明公开了一种氮化镓电子器件及其制备方法。所述制备方法包括：提供外延结构层，所述外延结构层包括依次叠层设置在衬底上的轻掺杂GaN层、含铝的III族氮化物半导体插入层和p型GaN层；对所述p型GaN层表面的指定区域进行加...
孙钱刘建勋郭小路周宇苏帅孙秀建高宏伟杨辉
基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法
本发明公开了一种基于槽栅技术的III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该HEMT包含第一、二半导体层组成的异质结以及与该异质结连接的源、栅、漏电极，该第二半导体层中分布有至少可供置入栅电极下部的槽状结构。该第一、二半导...
周宇孙钱李水明陈小雪戴淑君高宏伟冯美鑫杨辉
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GaN基增强型HEMT器件的制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT的制备方法，包括：以含氧的刻蚀气体等对HEMT的外延结构中的选定区域进行刻蚀，使所述选定区域中的选定材料(例如含铝物质)与含氧物质反应，直至形成能将刻蚀面覆盖的耐刻蚀物质，从而阻止刻...
周宇钟耀宗孙钱冯美鑫高宏伟杨辉
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氮化物半导体垂直腔面发射激光器、其制作方法与应用
本发明公开了一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器、其制作方法及应用。所述氮化物半导体垂直腔面发射激光器(VCSEL)包括沿设定方向依次设置的n侧DBR结构、有源区和p侧DBR结构，所述激光器的n侧形成有电流限制结构。进一步...
孙钱刘建勋冯美鑫黄应南周宇高宏伟杨辉
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III族氮化物半导体隧道结及其制备方法与应用
本发明公开了一种III族氮化物半导体隧道结及其制备方法与应用。所述氮化物半导体隧道结的制备方法包括：形成包含p型氮化物层和n型氮化物层的隧道结；至少使所述p型氮化物层的局部区域暴露在外；对所述隧道结进行热处理，使所述p型...
孙钱冯美鑫高宏伟周宇杨辉
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高效率半导体发光器件及其制备方法
本发明公开了一种高效率半导体发光器件及其制备方法。高效率半导体发光器件包括外延结构以及与外延结构配合的第一电极和第二电极，外延结构包括沿器件的纵向依次层叠设置的第一掺杂半导体层、有源区、第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层...
杨珊珊冯美鑫周宇孙钱张书明杨辉李永建吴迅飞
具有单片集成结构的光电收发芯片、其制作方法与应用
本发明公开了一种具有单片集成结构的光电收发芯片、其制作方法及应用。所述单片集成的光电收发芯片包括集成设置的发光二极管与光探测器，所述发光二极管与光探测器之间设置有反射镜结构，所述反射镜结构至少用于防止所述发光二极管发射的...
孙钱陈沁冯美鑫文龙刘建勋黄应南高宏伟周宇杨辉
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