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夏志良

作品数：13 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇闪存
  • 4篇空穴
  • 4篇存储器
  • 3篇隧穿
  • 3篇阻挡层
  • 3篇刻蚀
  • 3篇沟道
  • 3篇NAND
  • 2篇电学性能
  • 2篇读操作
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇掩模
  • 2篇一字线
  • 2篇栅极
  • 2篇闪存存储
  • 2篇闪存存储器
  • 2篇负电压
  • 2篇编程
  • 2篇编程操作
  • 2篇擦除

机构

  • 13篇中国科学院微...
  • 3篇中国科学院大...

作者

  • 13篇霍宗亮
  • 13篇夏志良
  • 4篇杨涛
  • 3篇叶甜春
  • 2篇王颀
  • 1篇许高博

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2016
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
三维闪存中基于钨互连的空气隙结构的制备工艺被引量：1
2019年
将空气隙应用于逻辑器件后段金属互连线中可以有效降低互连线间的寄生电容,提升电路信号传输速度,但制备过程仍具有一定的困难。基于三维闪存(3D NAND)中后段(BEOL)W的自对准双重图形化(SADP)工艺,利用湿法刻蚀的方法在W化学机械平坦化(CMP)之后去除SiO_2介质层,然后再利用化学气相淀积(CVD)法淀积一层台阶覆盖率较低的介质在金属互连线层内形成空气隙。采用空气隙结构代替原来的SiO_2介质层可降低约37.4%的寄生电容,且薄膜的台阶覆盖率会进一步降低电容。TCAD仿真和电性能测试结果表明,采用该方法制备的空气隙结构可降低互连延迟。
袁璐月刘峻范鲁明郭安乾夏志良夏志良
关键词：空气隙
3D NAND中基于SEG高度失效模型的DPPM预测算法
2020年
3D NAND中工艺结构是导致器件失效的重要因素之一,其中,选择性外延生长(SEG)的生长高度也是导致失效的一个重要参数。因此,提出了一种新的关于SEG高度引起器件失效的模型、失效概率的计算方法,并由此计算预测每百万缺陷数(DPPM)。该算法涉及多种数学模型如泊松分布、正态分布等,同时对3D NAND中不同层次的失效概率进行计算。根据该算法可以得到DPPM与SEG高度的关系,并对SEG高度最优值、DPPM对不同区域的SEG高度的敏感性进行了研究。
李治昊夏志良夏志良许高博霍宗亮
一种闪存存储器的擦除方法
本发明提供一种闪存存储器的擦除方法，包括：选取互不相邻的待擦除字线，在待擦除字线的栅极施加0V电压或负电压，并且将与待擦除字线相邻的字线的栅极浮空，对待擦除字线进行擦除操作；后续再选取剩余的字线中互不相连的字线作为待擦除...
宋璧若王颀夏志良霍宗亮叶甜春
文献传递
一种三维存储器的沟道制备方法
本申请公开了一种三维存储器的沟道孔的制备方法，所述三维存储器的沟道孔的制备方法在对叠层结构进行刻蚀形成沟道孔的过程中，采取了分段刻蚀操作，即对叠层结构进行多次刻蚀，每次刻蚀仅刻蚀部分所述叠层结构，下一次刻蚀在上一次刻蚀形...
夏志良霍宗亮
文献传递
三维闪存及其制作方法
本申请公开了一种三维闪存及其制作方法，本发明技术方案在存储堆叠结构与衬底之间具有侧墙沟道结构，所述侧墙沟道结构包括第二N型掺杂层以及P型掺杂层，所述第二N型掺杂层位于所述第一N型掺杂层与所述P型掺杂层之间，P型掺杂层用于...
夏志良杨涛霍宗亮
三维半导体器件及其制造方法
一种三维半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成交替的多个第一、第二掩模层构成的掩模层堆叠；刻蚀掩模层堆叠形成沟道孔，暴露衬底顶部、第一和第二掩模层侧壁；去除第二掩模层的一部分以形成凹陷；在沟道孔和凹陷中共形地形成阻挡层；...
夏志良霍宗亮
文献传递
高热预算三维存储工艺中表面沟道PMOS研究
2019年
采用标准三维存储器工艺,制备作为外围器件的表面沟道PMOS管。存储单元制备过程中的高热预算对p型掺杂的多晶栅影响很大,尤其是金属硅化物作为栅极接触材料的p型多晶硅。对影响表面沟道PMOS管性能的因素进行研究,发现多晶硅侧墙氧化温度主导器件的性能。高温侧墙氧化引起严重的多晶硅耗尽,并导致高阈值电压。电容-电压曲线和二次离子质谱验证了这个现象。通过工艺优化,有效抑制了多晶硅耗尽程度,实现了可用于三维存储器的高性能表面沟道PMOS管。在1.2 V工作电压下,PMOS管的饱和电流可达120μA/μm,漏电流低于1 pA/μm。
汪宗武李雪田武许文山孙超董洁琼江宁夏志良夏志良
关键词：多晶硅
具有PUC结构的3D NAND闪存器件及其制备方法
本公开提供了一种具有PUC结构的3D NAND闪存器件及其制备方法。其中，该3D NAND闪存器件包括衬底结构，衬底结构作为PUC结构的支撑结构，设置于PUC结构下方；其中，衬底结构通过金属诱导横向结晶工艺处理形成，以提...
杨涛夏志良霍宗亮
三维闪存及其制作方法
本申请公开了一种三维闪存及其制作方法，本发明技术方案在存储堆叠结构与衬底之间具有侧墙沟道结构，所述侧墙沟道结构包括第二N型掺杂层以及P型掺杂层，所述第二N型掺杂层位于所述第一N型掺杂层与所述P型掺杂层之间，P型掺杂层用于...
夏志良杨涛霍宗亮
文献传递
一种3D NAND存储器件及其制造方法
本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，提供衬底，衬底上形成有堆叠层，堆叠层中形成有沟道孔，而后在沟道孔中沿侧壁依次层叠存储功能层、沟道层和填充层，在沟道层和填充层之间形成有氧化物层，和/或，填充层中富含有杂质...
夏志良李福强沈鑫帅杨涛霍宗亮
文献传递
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