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周东海

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇双极晶体管
  • 3篇晶体管
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇绝缘栅双极晶...
  • 3篇集电极
  • 3篇沟槽
  • 3篇硅片
  • 3篇槽壁
  • 1篇制作方法
  • 1篇凸起
  • 1篇薄片

机构

  • 3篇江苏宏微科技...

作者

  • 3篇张景超
  • 3篇刘利峰
  • 3篇戚丽娜
  • 3篇周东海

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
绝缘栅双极晶体管的背面结构
本实用新型涉及一种绝缘栅双极晶体管的背面结构，在硅片的背面间隔设有背面沟槽，背面沟槽的槽壁与水平面之间的夹角α在60～88°，在背面沟槽的沟槽底部及侧壁通过注入形成沟槽状的N+型场截止层及沟槽状的P+型集电极层，沟槽状的...
戚丽娜周东海井亚会张景超刘利峰
文献传递
绝缘栅双极晶体管的背面结构及其制作方法
本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的背面结构，在硅片的背面间隔设有背面沟槽，背面沟槽的槽壁与水平面之间的夹角α在60～88°，在背面沟槽的沟槽底部及侧壁通过注入形成沟槽状的N+型场截止层及沟槽状的P+型集电极层，沟槽状的N+...
戚丽娜周东海井亚会张景超刘利峰
文献传递
绝缘栅双极晶体管的背面结构及其制作方法
本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的背面结构，在硅片的背面间隔设有背面沟槽，背面沟槽的槽壁与水平面之间的夹角α在60～88°，在背面沟槽的沟槽底部及侧壁通过注入形成沟槽状的N+型场截止层及沟槽状的P+型集电极层，沟槽状的N+...
戚丽娜周东海井亚会张景超刘利峰
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