您的位置： 专家智库 > >

刘利峰

作品数：68 被引量：14H指数：2
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 59篇专利
  • 5篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 34篇晶体管
  • 21篇二极管
  • 18篇绝缘栅
  • 17篇双极晶体管
  • 17篇绝缘栅双极晶...
  • 13篇多晶
  • 13篇多晶硅
  • 12篇光刻
  • 12篇硅片
  • 11篇氧化层
  • 10篇快恢复二极管
  • 10篇半导体
  • 7篇淀积
  • 7篇栅氧化
  • 7篇芯片
  • 7篇金属阳极
  • 6篇栅氧化层
  • 6篇温度
  • 6篇接触孔
  • 6篇开关特性

机构

  • 68篇江苏宏微科技...
  • 1篇深圳市晶导电...

作者

  • 68篇刘利峰
  • 58篇赵善麒
  • 52篇张景超
  • 39篇戚丽娜
  • 29篇王晓宝
  • 18篇林茂
  • 7篇吴迪
  • 6篇刘清军
  • 4篇钱锴
  • 4篇李栋良
  • 3篇周东海
  • 2篇巩鹏亮
  • 1篇姚天保

传媒

  • 2篇电力电子技术
  • 2篇2008年中...
  • 1篇金属加工（热...
  • 1篇中国电器工业...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2019
  • 7篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 7篇2009
  • 15篇2008
共 68 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法
本发明涉及一种集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法，第一多晶硅层上部连接有第二氧化层，第二氧化层具有向下隔离出二极管区域的隔离部分，第二氧化层上部依次连接有第二多晶硅层和绝缘介质层，绝缘介质层的环形隔离部分将第...
王培林井亚会戚丽娜张景超刘利峰赵善麒
文献传递
增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法
本发明涉及一种增加MOS栅控制晶体管原胞密度的制作方法，(1)栅氧化；(2)多晶硅淀积；(3)多晶硅掺杂形成导电层；(4)形成第一层绝缘介质层；(5)光刻、刻蚀第一层绝缘介质层和多晶硅层形成窗口，窗口宽度在1.2μm～4...
张景超刘利峰赵善麒
文献传递
宏微科技推出逆变焊机和切割机专用快恢复二极管模块
2010年
2010年5月27～30日，江苏宏微科技有限公司参加了第15北京·埃森焊接与切割展览会。展会期间，公司面向专业观众推出了切割机专用快恢复二极管模块，该系列模块具有超快速、高电压、高雪崩耐量、抗外界干扰能力强等特点。
刘利峰
关键词：快恢复二极管切割机逆变焊机专业观众
沟槽式快恢复二极管及其制备方法
本发明涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P<Sup>+</Sup>型杂质层相...
林茂戚丽娜张景超钱锴刘利峰赵善麒王晓宝
文献传递
新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法
本发明涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极，其中，所述N型第二阻挡区的厚度在0～10μm，P型第二发射...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒林茂吴迪
文献传递
非绝缘双塔型二极管
本发明涉及一种非绝缘双塔型二极管，包括底板、二极管芯片、主电极及外壳，二极管芯片的下端面通过下过渡层固定连接在底板上，二极管芯片的上端面通过上渡层与连接桥板的一侧固定连接，连接桥板是具有两个以个折弯的条板，连接桥板的另一...
王晓宝刘利峰赵善麒
文献传递
沟槽式快恢复二极管
本实用新型涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P<Sup>+</Sup>型杂质...
林茂戚丽娜张景超钱锴刘利峰赵善麒王晓宝
文献传递
半导体功率模块及其散热方法
本发明涉及一种半导体功率模块及其散热方法，属于半导体模块制造领域。包括底板、覆金属陶瓷基板、半导体芯片、导电连接件、电极以及壳体，覆金属陶瓷基板连接在底板上，半导体芯片连接在覆金属陶瓷基板或底板上，导电连接件连接半导体芯...
王晓宝赵善麒刘利峰
文献传递
一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构
本发明属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0....
井亚会戚丽娜俞义长张景超林茂刘利峰赵善麒
文献传递
沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构及其制备方法
本发明涉及一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构的制备方法，按以下步骤进行，⑴、场限环制作，⑵、氧化、光刻有源区，⑶、淀积阻挡氧化层，⑷、刻蚀阻挡氧化层，⑸、刻蚀沟槽区，⑹、栅氧化、淀积多晶硅，⑺、刻蚀多晶硅，⑻、硼磷硅...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒王晓宝
文献传递
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0