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王子巍

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

主题

  • 11篇导体
  • 11篇溅射
  • 11篇半导体
  • 11篇半导体结构
  • 10篇溅射沉积
  • 10篇衬底
  • 9篇晶体
  • 6篇氧化物
  • 6篇稀土
  • 6篇稀土氧化物
  • 4篇单晶
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇化物
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 2篇单晶结构
  • 2篇氮化物半导体
  • 2篇金属
  • 1篇半导体器件

机构

  • 11篇清华大学

作者

  • 11篇梁仁荣
  • 11篇王敬
  • 11篇肖磊
  • 11篇王子巍
  • 6篇许军

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 8篇2016
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层；以及(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成第一氮化物半导体层，以便获得所述半导体结构，所述第...
肖磊王子巍王敬梁仁荣
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半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底为金属；(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；以及(3)在所述稀土氧化物层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中...
肖磊王子巍王敬梁仁荣许军
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半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底是由玻璃形成的；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成第一氮化物半导体层，以便获得所述半导体结构，其中，所述第一氮化物半...
王子巍肖磊王敬梁仁荣
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半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用
本发明公开了半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用。该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底的上表面具有单晶结构；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物类单晶层，以便获得所述半导体结构。由此，可以降低制备...
王子巍肖磊王敬梁仁荣许军
半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层；以及(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成第一氮化物半导体层，以便获得所述半导体结构，所述第...
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半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底是由金属形成的；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成第一氮化物半导体层，以便获得所述半导体结构，所述第一氮化物半导体层...
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半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用
本发明公开了半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用。该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底的上表面具有单晶结构；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物类单晶层，以便获得所述半导体结构。由此，可以降低制备...
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半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层；(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧...
王子巍肖磊王敬梁仁荣许军
半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：提供衬底，所述衬底为玻璃；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；以及(3)在所述稀土氧化物层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土...
王子巍肖磊王敬梁仁荣许军
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半导体结构以及制备半导体结构的方法
本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层；(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧...
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