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梁仁荣

作品数：223 被引量：8H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信建筑科学金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 207篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 43篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇建筑科学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 90篇晶体管
  • 62篇半导体
  • 59篇沟道
  • 52篇场效应
  • 52篇场效应晶体管
  • 38篇导体
  • 36篇半导体结构
  • 33篇电路
  • 33篇栅结构
  • 31篇集成电路
  • 29篇衬底
  • 27篇离子
  • 27篇晶体
  • 23篇等离子体
  • 21篇源区
  • 20篇迁移率
  • 19篇电路设计
  • 18篇电学性能
  • 18篇隧穿
  • 16篇氧化物

机构

  • 223篇清华大学
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 223篇梁仁荣
  • 203篇王敬
  • 186篇许军
  • 37篇赵梅
  • 35篇肖磊
  • 30篇方华军
  • 23篇崔宁
  • 18篇赵晓
  • 18篇刘立滨
  • 16篇孙川川
  • 13篇郭磊
  • 11篇王子巍
  • 8篇任天令
  • 8篇刘志弘
  • 6篇李喜德
  • 6篇徐阳
  • 6篇叶璇
  • 6篇凌童
  • 5篇刘佳磊
  • 5篇刘磊

传媒

  • 4篇Journa...
  • 4篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 11篇2020
  • 8篇2019
  • 17篇2018
  • 16篇2017
  • 25篇2016
  • 10篇2015
  • 40篇2014
  • 25篇2013
  • 25篇2012
  • 21篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 6篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 223 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
本发明提供一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成在所述半导体衬底上的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或源区；形成...
崔宁梁仁荣王敬许军
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一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法
本发明提出了一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法，该隧穿晶体管包括漏极，外延层，埋层，源极，栅介质，栅极，源极金属层和漏极金属层。本发明隧穿晶体管能够提高器件在关态下的耐击穿能力，降低器件的导通电阻，减小大电流下的功耗，提...
崔宁梁仁荣王敬许军
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图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
本发明提出了图案化的卤素钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，该方法包括：(1)在卤素钙钛矿薄膜上形成光刻胶薄膜；(2)对步骤(1)得到的所述光刻胶薄膜进行曝光；(3)对步骤(2)得到的所述光刻胶薄膜进行显影；(4)将步骤(3)...
任天令囤冠华覃肯张海南耿祥顺谢丹梁仁荣
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超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法
本发明提出了超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法。该超陡亚阈值摆幅器件包括：衬底，包括阱区、源区、漏区和口袋区，其中，源区和漏区分别设置在阱区的一侧，口袋区设置在源区远离阱区并靠近漏区的一侧；绝缘介质层，覆盖源区和漏区；界面氧...
程为军梁仁荣许军蒋春生
无结型隧穿场效应晶体管及制备方法
本发明提出了无结型隧穿场效应晶体管及制备方法。该无结型隧穿场效应晶体管包括：绝缘层；沟道区，所述沟道区设置在所述绝缘层上；源极和漏极，所述源极以及所述漏极设置在所述沟道区的两侧；栅介质层，所述栅介质层设置在所述沟道区上；...
张书琴梁仁荣王敬许军
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增强MOS器件沟道区应变的方法
进一步提高沟道材料的应变程度，提高迁移率，增强器件性能的增强MOS器件沟道区应变的方法。技术方案是：增强MOS器件沟道区应变的方法，其特征是包括下列步骤：在硅衬底上外延组分渐变的SiGe层，再外延锗层或硅层，得到应变的沟...
郭磊王敬许军刘佳磊梁仁荣刘志弘
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具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构及其形成方法
本发明提出一种具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空层，其中，所述凸起结构...
崔宁梁仁荣王敬许军
采用MOS器件实现的宽带低功耗轨到轨放大器
本发明公开了属于模拟集成电路设计领域的一种采用MOS器件实现的宽带低功耗轨到轨放大器，其包括由四个NMOS管和四个PMOS管组成轨到轨输入级，该电路将输入电压信号转换成电流信号，并形成反向回收电流；放大回收电流的中间级由...
方华军赵晓王敬梁仁荣许军
一种FINFET动态随机存储器单元及其制备方法
本发明提出了FINFET动态随机存储器单元及其制备方法，该FINFET动态随机存储器单元包括衬底，体区，源极、漏极，鳍，源极金属层，漏极金属层，栅介质层，栅极和钝化层。本发明的FINFET动态随机存储器单元将产生的载流子...
刘立滨梁仁荣王敬许军
一种无结型纵向隧穿场效应晶体管
本发明提出一种无结型纵向隧穿场效应晶体管，包括：源区、漏区、沟道区、控制栅和辅助栅，其中，源区、漏区和沟道区构成一个整体，采用同一种掺杂类型半导体材料，从源区至沟道至漏区掺杂浓度相同，控制栅和辅助栅分别位于沟道两侧并且二...
梁仁荣姚磊王敬许军
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