2024年12月11日
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夏禹
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供职机构:
华为技术有限公司
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
经济管理
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合作作者
杨雯
华为技术有限公司
曾秋玲
华为技术有限公司
张日清
华为技术有限公司
张胜杰
华为技术有限公司
钟建福
华为技术有限公司
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作者
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夏禹
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杨雯
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曾秋玲
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李梅
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朱靖华
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反相时钟产生电路和寄存器
一种反相时钟产生电路,其中:第一PMOS管和第二PMOS管的源极与电源相连,第一PMOS管和第二PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极相连,第三PMOS管的漏极经第一延迟线电路与第三NMOS管的漏极相连;第三PMOS管的...
陈旗
钟建福
曾秋玲
夏禹
文献传递
集成电路器件及其制备方法
本申请提供一种集成电路器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,通过简单的工艺便可形成对相邻两个晶体管漏电流通路抑制的隔离段。该集成电路器件,包括:衬底以及凸出于所述衬底上的鳍片,所述集成电路器件还包括两个相邻的晶体管,所述...
朴善钦
马小龙
刘燕翔
汪大祥
陈赞锋
夏禹
陈华彬
周永杰
文献传递
一种半导体封装结构及其制造方法
本发明实施例提供一种半导体封装结构。该结构包括:半导体元件;接垫,设置于半导体元件上;保护层,包括第一非导电材料,包括第一部分及第二部分,第一部分覆盖于除接垫之外的半导体元件上,第一部分的表面具有第一高度,第二部分覆盖于...
陈政廷
张胜杰
夏禹
文献传递
负电容鳍式场效应管的制备方法及负电容鳍式场效应管
本申请实施例公开了一种负电容鳍式场效应管的制备方法及负电容场效应晶体管,该方法包括:提供半导体衬底,其上具有鳍部;形成覆盖鳍部的顶面和侧壁、半导体衬底的第一栅绝缘层;在第一栅绝缘层上形成横跨鳍部的牺牲栅极;以牺牲栅极为掩...
张日清
夏禹
文献传递
静电放电保护装置及多电源域集成电路
本申请实公开了静电放电保护装置和多电源域集成电路。所述静电放电保护装置包括:包括二极管与NMOS晶体管;所述二极管的正极用于与第一接口相耦合;所述二极管的负极与所述NMOS晶体管的第一极相耦合;所述NMOS晶体管的第二极...
李梅
季秉武
夏禹
文献传递
集成电路及其互连结构
本申请提供一种集成电路及其互连结构,所述集成电路互连结构包括内连线结构、第一增强结构、第二增强结构及第三增强结构。其中,第一增强结构、第二增强结构及第三增强结构用于增强所述集成电路互连结构的机械强度及可靠性,避免所述集成...
杨雯
刘燕翔
曾秋玲
陈赞锋
夏禹
文献传递
一种半导体封装结构及其制造方法
本发明实施例提供一种半导体封装结构。该结构包括:半导体元件;接垫,设置于半导体元件上;保护层,包括第一非导电材料,包括第一部分及第二部分,第一部分覆盖于除接垫之外的半导体元件上,第一部分的表面具有第一高度,第二部分覆盖于...
陈政廷
张胜杰
夏禹
文献传递
一种检测电路及传感器
一种检测电路,用于检测应力对电特性的影响,该检测电路包括:PMOS管主导自振荡环(101)、NMOS管主导自振荡环(102)和频率读取模块(103);PMOS管主导自振荡环(101)的信号路径中的PMOS管数量大于NMO...
曾秋玲
刘燕翔
陈赞锋
夏禹
文献传递
芯片堆叠结构以及制作方法、晶圆堆叠结构、电子设备
本申请实施例提供一种芯片堆叠结构以及制作方法、晶圆堆叠结构、电子设备,涉及半导体技术领域,在3D‑IC堆叠过程中,用于保证芯片间键合强度的满足要求的同时,降低制作成本。该芯片堆叠结构包括依次堆叠的第一芯片、第二芯片以及第...
夏禹
朱靖华
朱继锋
雷电
王前文
一种基于二维半导体的电子器件及其制造方法
本发明实施例采用对二维半导体周围介质的掺杂或者在半导体周围介质局部填充固体材料形成填充区,利用掺杂区或填充区对二维半导体特性的掺杂效应来实现基于二维半导体的电子器件。本发明实施例对二维半导体的掺杂不是对二维半导体的直接处...
杨雯
张日清
夏禹
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