韩玺
- 作品数：13 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 锑化物超晶格红外探测材料及红外焦平面探测器研究
- InAs/GaSb超晶格材料具有典型的Ⅱ型能带结构,其微带带隙覆盖2μ m～30μm的整个中红外波段,且材料自身对红外探测材料中的俄歇复合具有较好的抑制作用.与HgCdTe、InSb等体材料以及QWIP多量子阱级联结构相...
- 王国伟牛智川向伟蒋洞微韩玺郝宏玥任洋徐应强任正伟贺振宏
- 基于InAs/GaSbⅡ型超晶格的高阻抗甚长波红外探测器
- InAs/GaSbⅡ型超晶格材料具有较低的俄歇复合速率、较大的载流子有效质量以及相对较长的载流子寿命,并且带隙可在较大范围内连续可调的优良特性.相比于MCT材料,InAs/GaSbⅡ型超晶格材料更好的材料均匀性,使其在长...
- 韩玺蒋洞微王国伟孙姚耀蒋志吕粤希徐应强牛智川
- 关键词：红外探测器性能表征
- 基于InAs/GaSb二类超晶格的中/长波双色红外探测器被引量：6
- 2018年
- InAs/GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料,其有效带隙可以覆盖40~400meV。该量子体系材料不仅具有良好的均匀性,还拥有出色的光学特性,其电子有效质量高、光吸收系数大、量子效率高,已经成为第三代红外焦平面探测器的热门材料。本文利用分子束外延技术生长了背靠背势垒型中/长波双色红外探测器材料,通过标准工艺和阳极硫化技术,成功制备双波段NMπP-PπMN型红外探测器。在77K,中波峰值量子效率为32%,长波峰值量子效率为27%,50%截止波长分别为4.7μm和7.9μm。中波信号在+2V偏压下饱和,暗电流密度为0.06A/cm^2,长波信号在-1.4V偏压下饱和,暗电流密度为8.7A/cm^2。
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- 关键词：INAS/GASB超晶格分子束外延红外探测器
- 一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法
- 本发明提供了一种分子束外延生长长波红外InAs/InAsSb超晶格界面的优化方法，其中，包括以下步骤：A、获取外延生长的基准温度以及测定生长程序所需要的各源炉束流及温度值；B、根据基准温度将GaSb衬底的温度进行调节，准...
- 蒋志牛智川王国伟徐应强孙姚耀韩玺蒋洞微
- 文献传递
- 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法
- 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法，该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构，所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层，其中，在上电极接触层顶部形成上台面，...
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- 铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法
- 本发明提供一种铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法，所述铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器结构，包括：一GaSb衬底；一第一GaSb缓冲层，其生长在GaSb衬底上；一InGaAsSb PIN型短波器件，其生长在第一G...
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- 文献传递
- 锑化物纳米结构的中红外激光器与探测器的新进展被引量：1
- 2017年
- 锑(Sb)化物基光电子材料主要是指包含(InGaAlN)(AsSb)等元素的典型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,其光电物理性质独特、内涵丰富。锑化物材料在高性能中波红外激光器和中长波红外探测器等领域内具有广阔的应用前景,近年来发展迅猛。开展锑化物低维材料物理和关键制备技术的研究,对开发下一代高性能器件具有十分重要的科学意义和应用价值。
- 韩玺蒋洞微王国伟张宇倪海桥徐应强
- 关键词：锑化物超晶格激光器
- InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法
- 一种InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法，该红外探测器在表面吸收区形成光子晶体阵列，所述光子晶体阵列的排列间距小于所述红外探测器的截止波长；所述光子晶体阵列是在InAs/GaSb超晶格材料层的表面吸收区...
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- 文献传递
- 单势垒型InGaAsSb红外探测器
- 一种单势垒型InGaAsSb红外探测器，包括：一GaSb衬底；一下接触层，其制作在GaSb衬底上；一复合层，其制作在下接触层上；一上接触层，其制作在复合层上。本发明可以针对目前应变InGaAs探测器的缺陷，该单势垒型In...
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- 文献传递
- 一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法
- 本发明提供了一种分子束外延生长长波红外InAs/InAsSb超晶格界面的优化方法，其中，包括以下步骤：A、获取外延生长的基准温度以及测定生长程序所需要的各源炉束流及温度值；B、根据基准温度将GaSb衬底的温度进行调节，准...
- 蒋志牛智川王国伟徐应强孙姚耀韩玺蒋洞微
- 文献传递
