王国伟
- 作品数：78 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 短波红外InAs/GaSb超晶格的Varshni参数
- InAs/GaSb超晶格具有独特的II型能带结构,其微带帯隙可调、波长响应范围宽.通过改变超晶格的周期结构,它的吸收截止波长可覆盖2.7～30μm的红外范围,使得InAs/GaSb成为目前国际上公认的制备第三代高性能红外...
- 向伟王国伟蒋洞微徐应强王娟邢军亮牛智川
- 关键词：超晶格材料砷化铟锑化镓
- 文献传递
- 长/长波双色二类超晶格红外探测器研究
- 2023年
- 报道了长/长波双色二类超晶格红外焦平面探测器组件的研制。通过能带结构设计和分子束外延技术,获得了表面质量良好的长/长波双色超晶格外延材料。突破了长波超晶格低暗电流钝化、低损伤干法刻蚀等关键技术,制备出像元中心距30μm的320×256长/长波双色InAs/GaSb超晶格焦平面探测器芯片。将芯片与双色读出电路互连,采用杜瓦封装,与制冷机耦合形成探测器组件。组件双波段50%后截止波长分别为7.7μm(波段1)和10.0μm(波段2)。波段1平均峰值探测率达到8.21×10^(10)cm·W^(-1)·Hz^(1/2),NETD实现28.8 mK;波段2平均峰值探测率达到6.15×10^(10)cm·W^(-1)·Hz^(1/2),NETD为37.8 mK,获得了清晰的成像效果,实现长/长波双色探测。
- 刘铭游聪娅李景峰常发冉温涛李农周朋程雨王国伟
- 关键词：焦平面阵列
- 红外探测器光陷阱结构的制备方法
- 本发明公开了一种红外探测器光陷阱结构的制备方法，通过干湿法刻蚀与腐蚀工艺结合，实现电子束曝光胶层、金属掩膜以及SiO<Sub>2</Sub>掩膜等多层掩膜之间的图形相互转移，最终将光陷阱结构较高精度地转移至红外材料层。本...
- 郭春妍魏思航蒋洞微王国伟徐应强汪韬牛智川
- 文献传递
- GaInAsSb低维材料分子束外延生长及器件研究1
- 本文利用分子束外延技术,开展了GaAs、GaSb基GaInAsSb量子点、量子阱、超晶格等多种低维结构的外延生长,及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究.采用GenII分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技...
- 牛智川尚向军王国伟徐应强任正伟贺振宏倪海桥李密锋喻颖王娟王莉娟查国伟邢军亮徐建星向伟
- 关键词：超晶格半导体低维材料分子束外延生长元器件
- 文献传递
- InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器被引量：1
- 2021年
- 采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。
- 马晓乐郭杰郝瑞亭魏国帅王国伟徐应强徐应强
- 关键词：INAS/GASB超晶格红外探测
- 中长波InAs/GaSb超晶格材料及探测器研究
- 针对超晶格材料在中长波段的材料结构特点并结合理论模拟结论，采用生长中断方法和迁移率增强(MEE)方法进行中长波段超晶格材料分子束外延的生长参数优化研究。超晶格材料经过湿法腐蚀微加工工艺和表面钝化工艺后，分别制备了中波段和...
- 王国伟王娟邢军亮徐应强任正伟贺振宏牛智川
- 关键词：红外探测器超晶格材料分子束外延
- 文献传递
- 锑化物低维结构半导体材料与器件研究进展
- 锑(Sb)化物半导体材料体系主要包括GaSb,AlSb,InAs三种晶格常数在0.61nm附近的二元化合物半导体及他们之间组成各种多元合金半导体.该材料体系因其所具有的特殊物理性质而非常适合于制造红外光电器件和高速电子器...
- 牛智川徐应强王国伟张宇任正伟王娟邢军亮蒋洞微向伟
- HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器
- 一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，包括：一GaSb衬底，利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsS...
- 张宇王国伟汤宝任正伟徐应强牛智川陈良惠
- 文献传递
- 周期渐变超晶格宽光谱红外探测器及其制备方法
- 本公开提供了一种周期渐变超晶格宽光谱红外探测器，包括：GaSb衬底(1)、外延片结构及第一金属电极(7)、第二金属电极(8)，外延片结构依次包括GaSb缓冲层(2)、P型欧姆接触层(3)、InAs/InAsSb周期渐变超...
- 蒋俊锴牛智川徐应强王国伟蒋洞微常发冉李勇崔素宁陈伟强
- 8.56W锑化镓基1.96μm激光源
- 设计和生长了2μ m 波段的GaSb 基的AlGaAsSb/InGaSb I 类量子阱激光器.制备了激光器单管以及激光器线列(20 个管芯).单管未镀膜20℃最大功率为889mW,最大能量转换效率21.9％,最大功率处能...
- 廖永平张宇杨成奥黄书山柴小力王国伟徐应强倪海桥牛智川
- 关键词：激光二极管激光器阵列大功率中红外
