崔波
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：河北半导体研究所更多>>
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- SiC同质外延材料表面形貌缺陷研究
- 2019年
- 本文针对SiC同质外延材料中的表面形貌缺陷展开研究,使用共聚焦表面缺陷分析仪对外延材料表面缺陷进行表征测试和统计。根据三角形缺陷的结构和形貌特征,分析三角形缺陷的产生机制和延伸模型,系统研究了刻蚀气体HCl流量对SiC外延材料表面三角形缺陷的影响,结果表明刻蚀气体流量和时间对三角形缺陷影响明显,在HCl流量为100mL/min时,4英寸SiC外延材料表面三角形缺陷密度最低,达到0.85/cm^(2)。结合KOH腐蚀工艺,研究胡萝卜位错的产生机理,通过优化SiC外延生长速率,实现SiC外延材料胡萝卜缺陷密度有效降低至0.2/cm^(2)以下。
- 芦伟立李佳崔波冯志红
- 关键词：SIC
- 氢终端金刚石半导体电学特性测量有效性影响因素分析
- 2020年
- 本文对基于霍尔效应的氢终端金刚石半导体电学特性测量有效性影响因素进行讨论,并提出相应改善措施,使氢终端电学特性测量结果更为准确地为器件研制工作服务,同时也有助于氢终端金刚石半导体电学特性测量标准的建立。
- 郭建超蔚翠张雄文周闯杰何泽召刘庆彬高学栋崔波冯志红
- 关键词：电学特性
