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郭建超

作品数：5 被引量：5H指数：1
供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 4篇金刚石
  • 4篇刚石
  • 2篇电性能
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇终端
  • 2篇氢
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓材料
  • 1篇电弧法
  • 1篇多晶金刚石
  • 1篇形态学
  • 1篇影响因素
  • 1篇有效性
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇石墨烯材料
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相沉积法

机构

  • 5篇河北半导体研...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 5篇冯志红
  • 5篇郭建超
  • 4篇何泽召
  • 4篇蔚翠
  • 4篇刘庆彬
  • 2篇张雄文
  • 1篇刘庆彬
  • 1篇王晶晶
  • 1篇崔波

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇化工学报
  • 1篇中国标准化
  • 1篇标准科学

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2017
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
氢终端金刚石半导体电学特性测量有效性影响因素分析
2020年
本文对基于霍尔效应的氢终端金刚石半导体电学特性测量有效性影响因素进行讨论,并提出相应改善措施,使氢终端电学特性测量结果更为准确地为器件研制工作服务,同时也有助于氢终端金刚石半导体电学特性测量标准的建立。
郭建超蔚翠张雄文周闯杰何泽召刘庆彬高学栋崔波冯志红
关键词：电学特性
电弧法CVD金刚石膜热学性能影响因素分析
2023年
金刚石具有极高热导率和超强稳定性,使其在高频大功率器件及电路热沉(散热片)等方面有很大应用前景。在众多金刚石材料制备方法中,电弧法金刚石沉积速度快,沉积面积大且晶体质量相对较高,非常适用于金刚石散热材料快速制备。本文基于金刚石电弧制备方法,主要论述晶界状态、生长工艺、杂质和缺陷等方面对CVD金刚石膜热学性能的影响情况,并提出改善措施建议。
郭建超张雄文靳士昌邓冀泽冯志红
关键词：电弧法金刚石热学性能影响因素
氢终端金刚石薄膜生长及其表面结构
2024年
氢终端金刚石的导电性问题是目前限制其在器件领域应用的关键因素.传统的氢终端金刚石制备工艺由于金刚石中含有杂质元素以及表面的加工损伤的存在,限制了氢终端金刚石的电特性.在金刚石衬底上直接外延一层高纯、表面平整的氢终端金刚石薄膜成为一种可行方案,但该方案仍存在薄膜质量表征困难,表面粗糙度较大等问题.本文采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)技术,在含氮CVD金刚石衬底上外延一层亚微米级厚度金刚石薄膜,并研究分析了不同甲烷浓度对金刚石薄膜生长以及导电性能的影响.测试结果显示:金刚石薄膜生长厚度为230—810 nm,且外延层氮浓度含量低于1×10^(16) atom/cm^(3),不同的甲烷浓度生长时,金刚石外延层表面出现了三种生长模式,这主要与金刚石的生长和刻蚀作用相关.经过短时间生长后的金刚石薄膜表面为氢终端(2×1:H)结构,而氧、氮元素在其中的占比极低,这使得生长后的金刚石薄膜具有P型导电特性.霍尔测试结果显示,甲烷浓度为4%条件下生长的氢终端金刚石薄膜导电性最好,其方块电阻为4981Ω/square,空穴迁移率为207 cm^(2)/(V·s),有效地提升了氢终端金刚石电特性,为推进大功率金刚石器件发展应用起到支撑作用.
马孟宇蔚翠何泽召郭建超郭建超刘庆彬
关键词：电性能
多晶金刚石对硅基氮化镓材料的影响被引量：1
2023年
氮化镓(GaN)器件的自热问题是目前限制其性能的关键因素,在GaN材料上直接生长多晶金刚石改善器件的自热问题成为研究的热点,多晶金刚石距离GaN器件工作有源区近,散热效率高,但多晶金刚石和GaN材料热失配可能会导致GaN电特性衰退.本文采用微波等离子体化学气相沉积法,在2 in (1 in=2.54 cm)Si基GaN材料上生长多晶金刚石.测试结果显示,多晶金刚石整体均匀一致,生长金刚石厚度为9—81 μm,随着多晶金刚石厚度的增大, GaN (002)衍射峰半高宽增量和电性能衰退逐渐增大.通过激光切割和酸法腐蚀,将Si基GaN材料从多晶金刚石上完整地剥离下来.测试结果表明:金刚石高温生长过程中,氢原子对氮化硅外延层缺陷位置有刻蚀作用形成孔洞区域,刻蚀深度可达本征GaN层;在降温过程,孔洞周围形成裂纹区域.剥离下来的Si基GaN材料拉曼特征峰峰位, XRD的(002)衍射峰半高宽以及电性能均恢复到本征状态,说明多晶金刚石与Si基GaN热失配产生应力,引起GaN晶格畸变,导致GaN材料电特性衰退,这种变化具有可恢复性,而非破坏性.
刘庆彬蔚翠郭建超马孟宇何泽召周闯杰高学栋余浩冯志红
关键词：多晶金刚石氮化镓电性能
绝缘衬底上化学气相沉积法生长石墨烯材料被引量：4
2017年
利用化学气相沉积法,在Si衬底、蓝宝石衬底和SiC衬底上生长石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶体质量和电学特性。原子力显微镜、光学显微镜和拉曼光谱测试表明,Si_3N_4覆盖层可以有效抑制3CSiC缓冲层的形成;低温生长有利于保持材料表面的平整度,高温生长有利于提高材料的晶体质量。5.08cm蓝宝石衬底上石墨烯材料,室温下非接触Hall测试迁移超过1000cm2·V^(-1)·s^(-1),方块电阻不均匀性为2.6%。相对于Si衬底和蓝宝石衬底,SiC衬底上生长石墨烯材料的表面形态学更好,缺陷更低,晶体质量和电学特性更好,迁移率最高为4900cm2·V^(-1)·s^(-1)。
刘庆彬蔚翠何泽召王晶晶周闯杰郭建超冯志红
关键词：石墨烯绝缘衬底化学气相沉积形态学电学特性
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