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吕燕伍

作品数：5 被引量：16H指数：1
供职机构：北京航空航天大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇双稳
  • 2篇双稳态
  • 1篇点特征
  • 1篇电子谱
  • 1篇信息存储
  • 1篇信息存储技术
  • 1篇增透
  • 1篇增透膜
  • 1篇逆相变
  • 1篇外存
  • 1篇相变
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇纳米硅
  • 1篇纳米硅薄膜
  • 1篇介质
  • 1篇介质薄膜
  • 1篇介质膜

机构

  • 5篇北京航空航天...
  • 1篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇吕燕伍
  • 4篇戎霭伦
  • 2篇袁凯华
  • 2篇毛自力
  • 1篇赵晶
  • 1篇余明斌
  • 1篇刘剑
  • 1篇何宇亮
  • 1篇奚中和
  • 1篇张维佳
  • 1篇罗克俭
  • 1篇于泓涛
  • 1篇张新海
  • 1篇徐士杰

传媒

  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1996
  • 2篇1993
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
光信息存储材料的光学性质和电子谱研究
吕燕伍
纳米硅薄膜中的量子点特征被引量：16
1996年
从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Coulomb台阶。对实验结果做了初步分析讨论。
何宇亮余明斌吕燕伍戎霭伦刘剑徐士杰罗克俭奚中和
关键词：纳米硅量子点半导体
具高阶非线性光滞双稳性材料及采用该材料的光盘及光卡
本发明属光信息存储技术领域。光盘或光卡具有准F-P干涉仪结构，由多层薄膜构成，其中记录介质是具有高阶非线性、非封闭型光滞双稳态特征的介质薄膜。本发明设计的材料可用短波长、窄脉宽、低功耗的脉冲激光写/擦信息，因而可以使光盘...
戎霭伦司徒活吕燕伍毛自力袁凯华
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电子、光子引发可逆相变的光记录介质
本发明属光盘存储技术领域。记录介质的可逆相变发生在玻璃态与晶态之间。写入信息对应介质从晶态到玻璃态的转变，擦除则相反，技术上应解决的问题是：玻璃态的热稳性：即写入信息能长期保存；写入后的快擦除：即晶化速率应尽可能快；相变...
戎霭伦司徒活赵晶叶倩青张维佳吕燕伍于泓涛张新海
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记录媒体及其记录和擦除方法
一种记录媒体包括增透膜，记录介质膜，增反膜，光反馈和热沉膜，这些膜层构成一准F-P干涉仪，记录介质膜由具有光双稳态的材料构成的，各膜层设置成使得反射光和透射光之一的输出-输入特性是输出光滞后于输入光的光滞回线；记录介质由...
戎霭伦司徒活吕燕伍毛自力袁凯华
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