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袁凯华

作品数:6 被引量:5H指数:2
供职机构:北京航空航天大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 3篇分形
  • 3篇表面形貌
  • 2篇双稳
  • 2篇双稳态
  • 2篇纳米硅
  • 2篇纳米硅薄膜
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇STM
  • 1篇信息存储
  • 1篇信息存储技术
  • 1篇增透
  • 1篇增透膜
  • 1篇微晶
  • 1篇微晶硅
  • 1篇维数
  • 1篇相变
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇介质
  • 1篇介质薄膜

机构

  • 5篇北京航空航天...
  • 2篇大连理工大学

作者

  • 6篇袁凯华
  • 4篇戎霭伦
  • 2篇魏希文
  • 2篇万明芳
  • 2篇何宇亮
  • 2篇毛自力
  • 2篇吕燕伍
  • 1篇邹赫麟
  • 1篇李建军

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇材料工程

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
STM研究光盘材料结构转变前后表面形貌的分形维数
1994年
采用STM在纳米尺度上对光盘材料结构转变前后表面微观形貌进行了研究。STM结合图象处理和傅利叶分析法可以较好地用干研究薄膜表面形貌的分形特征。用电子束蒸发制备的无定形态记录介质薄膜表面形貌在纳米尺度上呈现出分形特征,经加热晶化后介质薄膜发生结构转变,表面形貌的分形维数增加。
袁凯华戎霭伦
关键词:STM表面形貌分形分形维数
具高阶非线性光滞双稳性材料及采用该材料的光盘及光卡
本发明属光信息存储技术领域。光盘或光卡具有准F-P干涉仪结构,由多层薄膜构成,其中记录介质是具有高阶非线性、非封闭型光滞双稳态特征的介质薄膜。本发明设计的材料可用短波长、窄脉宽、低功耗的脉冲激光写/擦信息,因而可以使光盘...
戎霭伦司徒活吕燕伍毛自力袁凯华
文献传递
纳米硅薄膜表面形貌分形特征的STM研究被引量:3
1995年
利用扫描隧道显微镜(ScanningTunnelingMicroscope,简称STM)对纳米硅薄膜在纳米尺度上的表面微观形貌进行了研究,结合分形理论,计算出样品表面形貌的分形维数D,从而得出D与有关样品微结构参数之间的关系.STM结合图象处理和傅利叶分析法可以很好地研究薄膜材料表面形貌的分形特征.纳米硅薄膜的表面在纳米尺度上的微观形貌呈现出分形特征.
万明芳魏希文李建军邹赫麟袁凯华何宇亮
关键词:纳米硅薄膜表面形貌分形STM
微晶与纳米硅薄膜表面形貌分形特征的研究被引量:2
1996年
对纳米硅薄膜的微结构研究一直是这个领域中令人感兴趣的问题.Mandelbrot提出的分形理论可用于材料显微结构的定量表征,而分形维数是描述分形结构特征的一个重要几何参量.近年来,人们利用光学显微镜和SEM等手段对薄膜材料和金属断口的表面形貌进行了很多研究,但由于实验手段的限制,通常只能获得材料在微米尺度上的分形特征,而且存在实验过程和数据处理繁琐等缺点.80年代初发展起来的STM,具有纳米量级乃至原子量级的分辨率,能够非破坏性地直接获得样品表面形貌的实空间三维图象,便于进行数据处理,从而使人们可较方便地在纳米乃至原子尺度上对材料的表面进行研究.我们首先采用STM在纳米尺度上对不同工艺条件下按常规PECVD技术制备的微晶及纳米硅薄膜的表面形貌进行了观测,并结合分形理论计算了样品表面形貌的分形维数D,从而找到了D值与样品微结构参数之间的联系.1 实验过程实验所用的硅薄膜样品是在常规PECVD系统中,使用高比例的高纯氢稀释的硅烷作为反应气体,利用RF+DC双重功率源激励等离子体辉光放电制备得到的.薄膜样品的厚度~1μm,衬底为普通的玻璃片.样品表面微观形貌的观测是采用CSTM-9000型STM(中国科学院化学研究所生产)在常温和大气中完成的.观测前,样品在稀释的HF中漂洗,以除去表面上的氧?
袁凯华戎霭伦何宇亮万明芳魏希文
关键词:微晶硅纳米硅分形表面形貌
记录媒体及其记录和擦除方法
一种记录媒体包括增透膜,记录介质膜,增反膜,光反馈和热沉膜,这些膜层构成一准F-P干涉仪,记录介质膜由具有光双稳态的材料构成的,各膜层设置成使得反射光和透射光之一的输出-输入特性是输出光滞后于输入光的光滞回线;记录介质由...
戎霭伦司徒活吕燕伍毛自力袁凯华
文献传递
光盘记录介质相变过程研究
袁凯华
共1页<1>
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