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任锦华

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇晶体管
  • 6篇薄膜晶体
  • 6篇薄膜晶体管
  • 6篇SUB
  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 3篇迁移率
  • 3篇基片
  • 3篇硅基
  • 3篇硅基片
  • 3篇发光
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应迁移率
  • 2篇栅结构
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇射频溅射
  • 2篇热氧化
  • 2篇稀土

机构

  • 10篇复旦大学

作者

  • 10篇任锦华
  • 7篇沈杰
  • 5篇张群
  • 2篇王俊
  • 1篇李喜峰
  • 1篇张群
  • 1篇林东

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种稀土Er掺杂SnO<Sub>2</Sub>薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种稀土Er掺杂SnO<Sub>2</Sub>薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用磁控溅射法在SiO<Sub>2</Sub>介质层上制备ErSnO沟道层，源漏电极采用ITO透明导电薄膜。...
任锦华张群沈杰
文献传递
一种Er、Yb共掺杂Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Ag双层上转换发光薄膜及其制备方法
本发明属于光致发光和太阳能电池技术领域，具体为一种Er、Yb共掺杂Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Ag双层上转换发光薄膜及其制备方法。本发明在石英或硅基片上制备双层薄膜，底层为Er/Yb共掺杂Al...
沈杰任锦华王俊郑明扬
文献传递
一种三元p型CuBi<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种三元p型CuBi<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术在热氧化SiO<Sub>2</Sub>基片上制备p型CuBi<S...
任锦华张群
文献传递
纳米Ag薄膜增强Er^(3+)/Yb^(3+)共掺Al_2O_3薄膜上转换发光特性研究
2017年
采用射频磁控溅射在石英基底上制备Al_2O_3:Er^(3+)/Yb^(3+)薄膜,在其表面采用直流磁控溅射沉积纳米Ag薄膜。上转换发光测试表明在491和678 nm的发射峰出现了5.8倍和5.2倍的增强。X射线衍射、原子力显微镜以及透射﹑吸收和散射光谱表明:491 nm发射增强主要源于局域表面等离子或表面等离子与发射带的共振耦合辐射机制,而678 nm发射增强主要源于纳米Ag膜对荧光的LSP散射机制。
任锦华郑明扬沈杰
关键词：上转换发光
一种具有太赫兹波段可控透射率的掺钼氧化锌薄膜的制备方法
本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为一种在太赫兹波段具有可控透射率的掺钼氧化锌薄膜的制备方法。本发明利用反应直流磁控溅射及退火技术调控掺钼氧化锌薄膜在太赫兹波段的光学特性，具体为：利用反应直流磁控溅射方法，以锌钼金属镶...
沈杰郑明扬任锦华靳琦
文献传递
一种Er、Yb共掺杂Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Ag双层上转换发光薄膜及其制备方法
本发明属于光致发光和太阳能电池技术领域，具体为一种Er、Yb共掺杂Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/Ag双层上转换发光薄膜及其制备方法。本发明在石英或硅基片上制备双层薄膜，底层为Er/Yb共掺杂Al...
沈杰任锦华王俊郑明扬
文献传递
一种宽禁带TmSnO半导体薄膜晶体管的制备方法
本发明涉及一种宽禁带TmSnO半导体薄膜晶体管的制备方法，半导体薄膜晶体管制备方法包括以下步骤：提供一带有二氧化硅介质层的硅衬底，采用磁控溅射法在其上依次制备稀土元素Tm掺杂SnO<Sub>2</Sub>有源层，以及IT...
任锦华张群沈杰李凯文黄瑜婷盛楚明
文献传递
稀土掺杂SnO2薄膜制备及晶体管应用
目前,无铟氧化物薄膜及其晶体管器件的研制成为人们关注的内容之一。Sn4+导带由5s轨道构成,具有较大的空间重叠性,电子有效质量小,即使材料在非晶状态下也能获得可观的迁移率,像ZnSnO、GaSnO以及SiSnO等高性能氧...
任锦华沈杰张群
关键词：二氧化锡稀土元素薄膜晶体管
文献传递
基于Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>高k介质层的GaSnO薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体为一种基于Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>高k介质层的Ga<Sub>x</Sub>Sn<Sub>1‑x</Sub>O薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用溶液法在硅...
任锦华张群李喜峰杨建文林东李凯文
文献传递
一种三元p型CuBi<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种三元p型CuBi<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术在热氧化SiO<Sub>2</Sub>基片上制备p型CuBi<S...
任锦华张群
文献传递
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