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刘政
作品数:
75
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TCL集团股份有限公司
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相关领域:
理学
一般工业技术
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
杨一行
tcl集团股份有限公司
钱磊
tcl集团股份有限公司
曹蔚然
tcl集团股份有限公司
聂志文
tcl集团股份有限公司
邓承雨
tcl集团股份有限公司
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作者
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刘政
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杨一行
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一种量子点复合材料、制备方法及半导体器件
本发明公开一种量子点复合材料、制备方法及半导体器件。方法包括步骤:在预定位置处合成第一种化合物;在第一种化合物的表面合成第二种化合物,所述第一种化合物与所述第二种化合物的合金组分相同或者不同;第一种化合物和第二种化合物体...
钱磊
杨一行
刘政
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一种纳米晶体、制备方法及半导体器件
本发明公开一种纳米晶体、制备方法及半导体器件。所述纳米晶体包含S个位于中心的中心结构单元和N个位于中心外的环绕结构单元,所述中心结构单元与环绕结构单元均为量子点结构单元;所述中心结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐...
刘政
杨一行
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一种CdSe<sub>x</sub>S<sub>1‑x</sub>合金量子点及其制备方法
本发明公开一种CdSe<Sub>x</Sub>S<Sub>1‑x</Sub>合金量子点及其制备方法,方法包括步骤:在惰性气体氛围下,将镉前驱体快速升温至320~350℃,随后将CuSe<Sub>x</Sub>S<Sub>...
刘政
杨一行
曹蔚然
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一种ZnSe<Sub>x</Sub>S<Sub>1‑x</Sub>合金量子点及其制备方法
本发明公开一种ZnSe<Sub>x</Sub>S<Sub>1‑x</Sub>合金量子点及其制备方法,所述方法包括步骤:在惰性气体氛围下,将制备好的锌前驱体加热至220‑270℃;将预先制备好的CuSe<Sub>x</Su...
刘政
杨一行
曹蔚然
钱磊
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一种量子点材料、制备方法及半导体器件
本发明公开了一种量子点材料、制备方法及半导体器件,所述量子点材料包含N个在径向方向上依次排布的量子点结构单元,其中N≥1;所述量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构;且相邻的量子点结构单元的能级宽...
杨一行
刘政
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核壳结构的CuInS<Sub>2</Sub>/ZnS纳米棒及其制备方法
本发明公开核壳结构的CuInS<Sub>2</Sub>/ZnS纳米棒及其制备方法,其包括步骤:将氯化铟、氯化亚铜和十二烷基硫醇混合制备得到CuInS<Sub>2</Sub>纳米棒;然后将脂肪酸锌、十二烷基硫醇和1‑十八烯...
刘政
杨一行
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四足量子点、基于四足量子点的发光二极管及其制备方法
本发明公开四足量子点、基于四足量子点的发光二极管及其制备方法,其包括步骤:镉前驱体混合液的制备:将氧化镉、油酸、n‑丙基膦酸和三辛基氧化膦混合,接着真空下加热并脱气,然后加热至280~330℃直至形成澄清、透明溶液为止;...
刘政
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一种量子点材料、制备方法及半导体器件
本发明公开一种量子点材料、制备方法及半导体器件,其中,所述量子点材料至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元,所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。本发明...
杨一行
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具有量子阱能级结构的纳米晶体、制备方法及半导体器件
本发明公开具有量子阱能级结构的纳米晶体、制备方法及半导体器件,其中,所述纳米晶体包含S个位于纳米晶体中心的中心结构单元和N个位于纳米晶体中心外并依次排布的环绕结构单元,其中,S≥1,N≥1,所述中心结构单元和环绕结构单元...
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核壳半导体纳米棒薄膜、偏振发光二极管及其制备方法
本发明公开核壳半导体纳米棒薄膜、偏振发光二极管及其制备方法,包括步骤:将核壳半导体纳米棒分散于非极性溶剂中,得到核壳半导体纳米棒溶液;过滤后得到提纯后的核壳半导体纳米棒溶液;将提纯后的核壳半导体纳米棒溶液滴加到极性溶剂中...
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