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杨一行

作品数：483 被引量：0H指数：0
供职机构：TCL集团股份有限公司更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 483篇中文专利

领域

  • 34篇理学
  • 33篇电子电信
  • 19篇一般工业技术
  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 301篇量子
  • 295篇量子点
  • 126篇发光
  • 89篇空穴
  • 76篇纳米
  • 68篇金属
  • 56篇配体
  • 49篇离子
  • 46篇底电极
  • 46篇光效
  • 46篇光效率
  • 44篇空穴传输
  • 43篇电子传输
  • 43篇空穴注入
  • 43篇空穴注入层
  • 42篇电子传输层
  • 41篇空穴传输层
  • 41篇发光效率
  • 39篇前驱体
  • 39篇发光层

机构

  • 483篇TCL集团股...

作者

  • 483篇杨一行
  • 229篇钱磊
  • 184篇曹蔚然
  • 72篇刘政
  • 51篇聂志文
  • 43篇陈崧
  • 29篇王宇
  • 22篇邓承雨
  • 18篇谢相伟
  • 18篇梁柱荣
  • 13篇李乐
  • 8篇刘佳
  • 4篇李龙基
  • 3篇曹巍然
  • 2篇闫晓林

年份

  • 25篇2021
  • 94篇2020
  • 193篇2019
  • 72篇2018
  • 68篇2017
  • 31篇2016
共 483 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金属纳米颗粒及其制备方法、QLED器件
本发明提供了一种金属纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：提供金属纳米颗粒种子，配置成金属纳米颗粒种子溶液；将所述金属纳米颗粒种子溶液分散处理后，加入硫醇搅拌处理1‑3小时，然后采用萃取剂从混合液中离心分离，得到含有硫醇配体...
程陆玲杨一行
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一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法
本发明公开一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法，其中，所述方法包括：将预先制备好的至少两种阳离子前驱体溶液搅拌混匀并加热至预定温度后，注入制备好的至少一种阴离子前驱体溶液进行成核反应，通过在成核反应过程中以逐渐变化...
程陆玲杨一行
量子点薄膜及其制备方法和QLED器件
本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。一种量子点薄膜，含有量子点，所述量子点表面的结合有硫醇配体，且所述量子点表面还结合有阴离子。本发明通将量子点薄膜中的量子点表面结合阴离子，这样能...
程陆玲杨一行
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一种纳米发光纤维及其制备方法
本发明公开一种纳米发光纤维及其制备方法，方法包括步骤：取量子点加入有机溶剂中，搅拌溶解后得到量子点溶液；在量子点溶液中加入溶液添加剂，混合均匀，再加入固态聚合物，搅拌溶解后形成均匀的量子点纺丝溶液；将量子点纺丝溶液放入静...
覃辉军杨一行
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量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法
本发明提出量子点表面配体含量的测定方法与量子点墨水配制方法。采用本方法进行量子点墨水配置，能保证量子点墨水质量的均一性，能保证不同批次的量子点墨水的溶解性、干燥速率和咖啡环效应相同，能提高量子点显示面板的像素分辨率、启亮...
覃辉军叶炜浩杨一行
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白光量子点发光二极管及其制备方法
本发明提供了一种白光量子点发光二极管，包括层叠结合的底电极、发光层、顶电极，其中，所述发光层为叠层发光层，所述叠层发光层包括层叠结合的N层发光薄膜，且第1层到第N‑1层发光薄膜为量子点发光薄膜，第N层发光薄膜为量子点发光...
曹蔚然杨一行向超宇钱磊梁柱荣
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正型QLED器件及制备方法
本发明提供了一种正型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供气态的置换配体和沉积有量子点预制薄膜的阳极，其中，所述量子点预制薄膜中的量子点表面结合有初始配体，所述置换配体为至少含有两个活性官能团的有机配体；将所述量子点...
曹蔚然梁柱荣杨一行向超宇钱磊
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反型QLED器件及其制备方法
本发明提供了一种反型QLED器件的制备方法，包括以下步骤：提供阴极和置换配体溶液；在所述阴极上沉积量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜由表面含有初始配体的量子点组成，将所述量子点预制薄膜与所述置换配体溶液中的置换配体进行原...
曹蔚然杨一行向超宇钱磊梁柱荣
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一种QLED器件、显示装置及其制备方法
本发明属于显示应用技术领域，提供了一种QLED器件、显示装置及其制备方法。该QLED器件包括依次设置的衬底、底电极、空穴功能层、量子点发光层、电子功能层以及顶电极，电子功能层包括由有机绝缘材料和高导热材料掺杂制成的空穴阻...
钱磊杨一行曹蔚然向超宇陈崧
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基于量子阱结构量子点的白光QLED器件及制备方法
本发明公开基于量子阱结构量子点的白光QLED器件及制备方法，器件从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，所述量子点发光层的材料为量子阱结构的单白光量子点，所述单白光量子点...
钱磊杨一行曹蔚然向超宇陈崧
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