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李其海

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
相关领域:化学工程兵器科学与技术更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 1篇元器件
  • 1篇武器
  • 1篇武器设备
  • 1篇金属
  • 1篇金属间化合物
  • 1篇晶界
  • 1篇可靠性

机构

  • 2篇中国工程物理...

作者

  • 2篇李其海
  • 2篇黄琨
  • 1篇陈玮玮
  • 1篇陈玮玮
  • 1篇张伟

传媒

  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
国内外元器件贮存寿命研究现状
基于武器设备元器件贮存寿命评估的三种方法:长期自然贮存寿命试验、加速寿命试验以及加速退化试验,阐述了各种试验的优缺点,分析了元器件贮存寿命在国内外的研究现状及国内外相关领域的差距,并对国内元器件贮存寿命研究进行了展望.
李其海陈玮玮黄琨
关键词:武器设备元器件可靠性
文献传递
纯锡镀层锡须生长机理及聚氯代对二甲苯膜抑制效果研究被引量:3
2017年
以无铅器件及无铅引线框架为研究对象,采用扫描电镜、能谱分析了纯锡镀层锡须生长机理。采用化学气相沉积(CVD)法在样品表面镀聚氯代对二甲苯(PC)膜,研究了PC膜对锡须生长的抑制效果。结果表明:Cu/Sn界面处金属间化合物(IMC)易于向Sn晶界处生长,使得原位体积增加44.8%,因此界面处会产生较大压应力。此压应力会随着镀层/基体界面IMC层的不规则形成而增大。在压应力的作用下,Sn被挤出,从而形成锡须。PC膜对锡须的生长具有明显的抑制作用,且随着PC膜厚度的增大,锡须生长变慢,孕育期更长。5μm厚的PC膜能有效抑制锡须生长。
李其海陈玮玮张伟黄琨
关键词:金属间化合物晶界
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