您的位置： 专家智库 > >

陈丹

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：山西师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光沉积
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米点
  • 3篇纳米点阵列
  • 2篇阳极氧化铝
  • 2篇阳极氧化铝模...
  • 2篇氧化铝模板
  • 2篇室温铁磁性
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 1篇导体
  • 1篇双通
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇稀磁半导体薄...
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇饱和磁化强度
  • 1篇FE掺杂
  • 1篇IN2O3

机构

  • 3篇山西师范大学

作者

  • 3篇陈丹
  • 2篇江凤仙
  • 2篇许小红
  • 2篇马文睿

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
高饱和磁化强度氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法
本发明公开了一种高饱和磁化强度(In<Sub>1-x</Sub>Fe<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法，是将制备的双通多孔超薄阳极氧化铝模板转...
许小红陈丹江凤仙马文睿
文献传递
Fe掺杂In2O3稀磁半导体薄膜及纳米点阵列的制备与研究
集电子的电荷和自旋属性于一体的稀磁半导体材料，同时具有半导体和磁学性质，表现出很多优良的磁、磁电、磁光性能，使其在自旋电子学领域中受到人们的广泛关注。自从2000年 Dietl等人从理论上首次预测了 Mn掺杂 ZnO稀磁...
陈丹
关键词：FE掺杂纳米点阵列脉冲激光沉积
高饱和磁化强度氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法
本发明公开了一种高饱和磁化强度(In<Sub>1‑</Sub><Sub>x</Sub>Fe<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法，是将制备的双通多...
许小红陈丹江凤仙马文睿
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0