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闫宗楷

作品数:37 被引量:29H指数:2
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 17篇高通量
  • 10篇溅射
  • 8篇磁控
  • 8篇磁控溅射
  • 7篇靶材
  • 5篇基因
  • 4篇镀膜
  • 4篇基片
  • 3篇等离子体
  • 3篇低温等离子体
  • 3篇电池
  • 3篇镀膜技术
  • 3篇腔内
  • 3篇温度
  • 3篇金属
  • 3篇控制系统
  • 3篇辉光
  • 3篇辉光放电
  • 3篇放电
  • 3篇放电管

机构

  • 37篇电子科技大学
  • 1篇中国建筑材料...

作者

  • 37篇闫宗楷
  • 25篇向勇
  • 9篇彭志
  • 8篇李响
  • 8篇李光
  • 5篇程琦
  • 5篇王玲
  • 5篇刘雯
  • 4篇徐子明
  • 3篇张晓琨
  • 3篇刘奕
  • 2篇贾春阳
  • 2篇张丽
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  • 2篇向勇
  • 2篇李恩竹

传媒

  • 1篇科技导报
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  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 4篇2024
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  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 9篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2013
37 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置
本发明涉及一种高通量组合材料芯片制备装置,其包括制备腔、伸入制备腔内原料输出装置、容置于制备腔内的蒸发模组,多个分立掩模以及一连续掩模;原料输出装置设置在蒸发模组及分立掩模/连续掩模之间;原料输出装置用于在所述原料输出装...
闫宗楷向勇彭志蒋赵联李响
一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置
本发明涉及真空镀膜技术领域,具体为一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置,包括溅射腔、腔门、手套箱和过渡腔。本发明通过多个可独立调节的伸缩支架,实现待渡基片的角度连续变化。再运用手套箱的配置,通过溅射腔、手套箱和过渡腔的两两连接,...
向勇刘雯闫宗楷彭志蒋赵联吴露
文献传递
一种大气辉光放电低温等离子体镀膜技术
本发明提供了一种大气辉光放电低温等离子体镀膜技术,属于等离子体镀膜领域,该技术可以有效解决镀膜领域存在的镀膜温度过高会损坏基底及制备工艺复杂的问题,其步骤包括:a、在放电管中通电击穿低温等离子体过程,由气体源通入的气体在...
向勇闫宗楷朱焱麟常小幻
文献传递
大气辉光放电低温等离子体镀膜装置
本发明提供了一种大气辉光放电低温等离子体镀膜装置,属于材料制备领域,该装置可降低设备复杂程度、易操作,而且可节约整体镀膜工艺的成本,其结构包括放电管,所述的放电管上端设有管塞,管塞上设有通孔;所述的管塞的底部通过盲孔插置...
向勇闫宗楷常小幻
文献传递
一种自清洁的高通量磁控溅射设备及操作方法
本发明涉及磁控溅射技术领域,具体涉及一种自清洁的高通量磁控溅射设备及操作方法。本发明通过在门体上设置基片模块,辅以同样设置在门体上适配的清洁模块,清洁模块通过气流控制对腔体内和基片模块及其周围区域的纳米金属颗粒进行清洁处...
闫宗楷程琦童祖文罗旭杰简学斌赵攀峰王玲
混合材料薄膜及其制备方法、用途、使用方法
本发明涉及一种混合材料薄膜,包括纳米材料基材与基体材料,其中纳米材料基材由基体材料间隔开。本发明还涉及混合材料薄膜制备方法,包括步骤S1,提供基体材料和纳米材料基材;及步骤S2,调节所述纳米材料基材和基体材料的真空气相沉...
闫宗楷向勇李光李明刘雯李响
一种柔性薄膜的分层磁控溅射镀膜装置及其制备方法
本发明涉及柔性电子技术领域,具体涉及一种柔性薄膜的分层磁控溅射镀膜装置及其制备方法。本发明通过对镀膜进行分层磁控溅射的方式,能更好的细化每一层膜的镀膜质量,配合可分离的支撑板,进一步降低表面针孔率和防止裂纹产生,提高镀膜...
程琦闫宗楷赵攀峰刘辰璐彭春泉
一种用于浮空风力发电平台的自适应高度调节装置
本发明属于高空风力发电系统AWES领域,具体涉及一种用于浮空风力发电平台的自适应高度调节装置。本发明通过采用摄像机和/或多种传感器实时采集数据,以测量整个系留索范围内的各高度的风速,进而控制自动卷缆装置收放高空风力发电系...
初宁赵攀峰闫宗楷张丽赖龙
组合材料芯片技术在新材料研发中的应用被引量:11
2015年
组合材料芯片是高通量材料实验技术的重要组成部分,可实现在一块较小的基底上,通过精妙设计,以任意元素为基本单元,组合集成多达10~108种不同成分、结构、物相等材料样品库,并利用高通量表征方法快速获得材料的成分、结构、性能等信息,以实验通量的大幅度提高带来研究效率的根本转变,实现材料搜索的“多、快、好、省”。组合材料芯片技术经历了20年的发展与完善,已形成一系列较为成熟的材料制备技术与表征方法。本文列举多年来涉及微电子材料、磁性材料、光电材料、能源材料、介电材料、催化材料、合金材料等15个领域中较为成功的应用案例,以展示组合材料芯片技术在加速新材料发现、材料和器件性能优化、以及基础物理研究中的突出作用及效果。
项晓东汪洪向勇闫宗楷
关键词:高通量
IGZO氧化物半导体材料高通制备与表征
郑在纹闫宗楷彭先德向勇
共4页<1234>
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