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郑青松

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
发文基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇第一性原理
  • 2篇杂质能级
  • 2篇ZNO
  • 2篇掺杂
  • 1篇带隙
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电子结构
  • 1篇氧化锌
  • 1篇砷化镓
  • 1篇铜掺杂
  • 1篇子结构
  • 1篇纤锌矿
  • 1篇ALN
  • 1篇AL掺杂
  • 1篇GAN

机构

  • 3篇哈尔滨师范大...

作者

  • 3篇郑青松
  • 2篇尹海涛
  • 1篇冯立峰
  • 1篇李仲秋
  • 1篇李华
  • 1篇陈俊利

传媒

  • 2篇哈尔滨师范大...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
ZnO和GaAs半导体杂质能级的理论研究
近年来，半导体器件在我们的生活中发挥着越来越重要的作用。从半导体材料被研究人员发现到现在广泛应用到各领域中，半导体的发展经历了大概三代，本文选取第二代半导体材料的代表GaAs以及第三代新型半导体ZnO，利用DFT-MBJ...
郑青松
关键词：氧化锌砷化镓杂质能级电子结构第一性原理
铜掺杂氧化锌半导体杂质能级的理论研究被引量：1
2016年
采用密度泛函理论,利用MBJ-CPA方法计算了Cu掺杂ZnO的电子结构,理论解释Cu掺杂ZnO材料后出现发光特性,为今后Cu掺杂ZnO实验研究提供一定的理论依据.
郑青松李仲秋冯立峰李华尹海涛
关键词：ZNO掺杂杂质能级
Al掺杂纤锌矿GaN电子结构第一性原理计算被引量：1
2016年
采用第一性原理方法,在LMTO-MBJ框架下精确的计算Ga N和Al N的电子结构,计算结果与实验值一致.应用CPA的方法计算任意量的Al掺杂Ga N合金的电子结构,理论计算表明,Ga N的带隙宽度随Al掺杂浓度x的增大而增大,而且满足关系式Eg=3.43+2.3x(0≤x≤0.65),Eg=2.45+3.7x(0.65≤x≤1).计算可为氮化物半导体Ga N、Al N及其三元合金化合物Ga1-xAlxN的实验研究提供理论依据.
陈俊利尹海涛郑青松
关键词：GANALN第一性原理带隙
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