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陈俊利

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：哈尔滨师范大学更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇第一性原理
  • 1篇带隙
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子结构
  • 1篇异质结
  • 1篇子结构
  • 1篇纤锌矿
  • 1篇半导体
  • 1篇ALN
  • 1篇AL掺杂
  • 1篇GAN
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇哈尔滨师范大...

作者

  • 2篇陈俊利
  • 1篇尹海涛
  • 1篇郑青松

传媒

  • 1篇哈尔滨师范大...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
掺杂半导体的电子结构及异质结能带偏移第一性原理研究
以GaN和ZnO为代表的第三代半导体材料，属于直接带隙宽禁带半导体。GaN、ZnO具有相同的晶体结构，由于其优异的光学电学特性，被广泛的应用在光电器件领域。本文基于第一性原理计算方法，在LMTO-MBJ-CPA框架下对G...
陈俊利
关键词：半导体电子结构异质结第一性原理
Al掺杂纤锌矿GaN电子结构第一性原理计算被引量：1
2016年
采用第一性原理方法,在LMTO-MBJ框架下精确的计算Ga N和Al N的电子结构,计算结果与实验值一致.应用CPA的方法计算任意量的Al掺杂Ga N合金的电子结构,理论计算表明,Ga N的带隙宽度随Al掺杂浓度x的增大而增大,而且满足关系式Eg=3.43+2.3x(0≤x≤0.65),Eg=2.45+3.7x(0.65≤x≤1).计算可为氮化物半导体Ga N、Al N及其三元合金化合物Ga1-xAlxN的实验研究提供理论依据.
陈俊利尹海涛郑青松
关键词：GANALN第一性原理带隙
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