轩瑞杰
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：湖南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划宁波市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 低压Sb掺杂的SnO/_2纳米线基场效应晶体管的研究
- 近年来，Sb掺杂SnO/_2纳米线场效应晶体管具有高迁移率、低成本、低温工艺等优势而引起了广泛的研究兴趣。然而，在大部分的文献报道中，Sb掺杂SnO/_2纳米线场效应晶体管的工作电压很大/(>10V/)，这会导致电子系统...
- 轩瑞杰
- 关键词：低压
- 文献传递
- 基于微孔SiO_2栅介质的透明氧化物薄膜晶体管
- 2013年
- 采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备微孔SiO2薄膜并将其作为栅介质,制作了基于微孔SiO2栅介质层的透明氧化物薄膜晶体管。利用场发射扫描电镜、阻抗分析仪以及半导体分析仪对样品进行表征。结果表明,微孔SiO2栅介质具有双电层效应,这种微孔SiO2栅介质透明氧化物薄膜晶体管器件具有工作电压低,开关电流比大,透光性高,稳定性强等良好性能。
- 颜钟惠王瑶吴国栋轩瑞杰李想
- 关键词：薄膜晶体管
- 基于氧化铟锡的无结低电压薄膜晶体管被引量：1
- 2012年
- 在室温下制备了基于氧化铟锡(ITO)的底栅结构无结薄膜晶体管.源漏电极和沟道层都是同样的ITO薄膜材料,没有形成传统的源极结和漏极结,因而极大的简化了制备流程,降低了工艺成本.使用具有大电容的双电荷层SiO_2作为栅介质,发现当ITO沟道层的厚度降到约20 nm时,器件的栅极电压可以很好的调控源漏电流.这些无结薄膜晶体管具有良好的器件性能:低工作电压(1.5 V),小亚阈值摆幅(0.13 V/dec)、高迁移率(21.56 cm^2/V·s)和大开关电流比(1.3×10~6).这些器件即使直接在大气环境中放置4个月,器件性能也没有明显恶化:亚阈值摆幅保持为0.13V/dec,迁移率略微下降至18.99 cm^2/V·s,开关电流比依然大于10~6.这种工作电压低、工艺简单、性能稳定的无结低电压薄膜晶体管非常有希望应用于低能耗便携式电子产品以及新型传感器领域.
- 赵孔胜轩瑞杰韩笑张耕铭
- 关键词：薄膜晶体管低电压氧化铟锡
