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赵孔胜

作品数:4 被引量:1H指数:1
供职机构:教育部更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇晶体管
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇氧化铟
  • 2篇低电压
  • 2篇电压
  • 2篇氧化铟锡
  • 1篇低压
  • 1篇电解质
  • 1篇氧分子
  • 1篇纸张
  • 1篇壳聚糖
  • 1篇分子
  • 1篇
  • 1篇
  • 1篇ITO
  • 1篇超低压

机构

  • 3篇湖南大学
  • 1篇教育部
  • 1篇中国科学院宁...

作者

  • 4篇赵孔胜
  • 2篇张耕铭
  • 1篇颜钟惠
  • 1篇刘全慧
  • 1篇韩笑
  • 1篇郭立强
  • 1篇赵娟
  • 1篇刘欣
  • 1篇轩瑞杰

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇材料导报

年份

  • 3篇2013
  • 1篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
氧对IZO低压无结薄膜晶体管稳定性的影响
2013年
本文在室温下制备了无结结构的低压氧化铟锌薄膜晶体管,并研究了氧分压对其稳定性的影响.氧化铟锌无结薄膜晶体管具有迁移率高、结构新颖等优点,然而氧化物沟道层易受氧、水分子等影响,造成稳定性下降.在室温下,本文通过改变高纯氧流量制备氧化铟锌透明导电薄膜作为沟道层、源漏电极,分析了氧压对于氧化物无结薄膜晶体管稳定性的影响.为使晶体管在低电压(<2V)下工作,达到低压驱动效果,本文采用具有双电层效应和栅电容大的二氧化硅纳米颗粒膜作为栅介质;通过电学性能测试,制备的晶体管工作电压仅为1V、开关电流比大于106、亚阈值斜率小于100mV/decade以及场效应迁移率大于20cm2/V.s.实验研究表明,通氧制备的氧化铟锌薄膜的电阻率会上升,导致晶体管的阈值电压向正向漂移,最终使晶体管的工作模式由耗尽型转变为增强型.
张耕铭郭立强赵孔胜颜钟惠
关键词:薄膜晶体管氧分子
超低压ITO基壳聚糖电解质纸张薄膜晶体管的制备
2013年
采用一步掩膜法通过射频磁控溅射设备同时制备源极、漏极以及沟道层,采用具有双电荷层效应的壳聚糖薄膜为栅介质,成功制备出以纸张为衬底的超低压薄膜晶体管。这种柔性衬底薄膜晶体管具有良好的电学性能:超低的工作电压(仅为0.8V),场效应迁移率达到8.1cm2/(V·s),亚阈值斜率为80mV/decade,开关电流比高达1.2×107。
刘欣赵娟赵孔胜刘全慧
关键词:超低压ITO壳聚糖
基于氧化铟锡的无结全透明低电压薄膜晶体管
最近几年,一种被称为无结晶体管的新型场效应晶体管受到了广泛关注。由于无需在源漏极和沟道之间形成结,器件结构得到大大简化,从而降低了制备难度并减小了工艺成本。这种无需形成源结和漏结的新型场效应晶体管结构,在未来的逻辑电路和...
赵孔胜
关键词:薄膜晶体管氧化铟锡低电压
文献传递
基于氧化铟锡的无结低电压薄膜晶体管被引量:1
2012年
在室温下制备了基于氧化铟锡(ITO)的底栅结构无结薄膜晶体管.源漏电极和沟道层都是同样的ITO薄膜材料,没有形成传统的源极结和漏极结,因而极大的简化了制备流程,降低了工艺成本.使用具有大电容的双电荷层SiO_2作为栅介质,发现当ITO沟道层的厚度降到约20 nm时,器件的栅极电压可以很好的调控源漏电流.这些无结薄膜晶体管具有良好的器件性能:低工作电压(1.5 V),小亚阈值摆幅(0.13 V/dec)、高迁移率(21.56 cm^2/V·s)和大开关电流比(1.3×10~6).这些器件即使直接在大气环境中放置4个月,器件性能也没有明显恶化:亚阈值摆幅保持为0.13V/dec,迁移率略微下降至18.99 cm^2/V·s,开关电流比依然大于10~6.这种工作电压低、工艺简单、性能稳定的无结低电压薄膜晶体管非常有希望应用于低能耗便携式电子产品以及新型传感器领域.
赵孔胜轩瑞杰韩笑张耕铭
关键词:薄膜晶体管低电压氧化铟锡
共1页<1>
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