郭中元
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：上海交通大学微纳科学技术研究院更多>>
- 发文基金：上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术更多>>
- 聚合物Parylene C薄膜的反应离子刻蚀研究
- 2008年
- 首先简要介绍了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜为原料,进行反应离子刻蚀,着重研究了功率和工作气压对刻蚀速率的影响,并给出了优化的刻蚀工艺参数。结果表明,刻蚀速率随功率增加而增大,当功率为80 W时,刻蚀速率达到0.44μm/min,适当增大功率有利于各向异性刻蚀。刻蚀速率在一定范围内随气压增大而增大,工作压力为10.67 Pa时,刻蚀速率达到0.47μm/min;当气压超过10.67 Pa后,刻蚀速率基本保持不变。
- 王亚军刘景全沈修成杨春生郭中元芮岳峰
- 关键词：微流体系统反应离子刻蚀
