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余涛

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：苏州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇衬底
  • 3篇介质
  • 3篇介质薄膜
  • 2篇导体
  • 2篇低温退火
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇退火
  • 2篇离子束
  • 2篇界面层
  • 2篇禁带
  • 2篇绝缘衬底
  • 2篇宽禁带
  • 2篇宽禁带半导体
  • 2篇感应耦合
  • 2篇半导体
  • 2篇SI衬底
  • 2篇SUB
  • 2篇HFO
  • 1篇电学

机构

  • 6篇苏州大学

作者

  • 6篇余涛
  • 5篇吴雪梅
  • 5篇金成刚
  • 5篇诸葛兰剑
  • 4篇黄天源
  • 4篇吴明智
  • 2篇杨燕
  • 2篇徐轶君
  • 2篇叶超

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种HfO<Sub>2</Sub>薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法
本发明公开了一种HfO<Sub>2</Sub>薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法，包括如下步骤：(a)清洗，在Si衬底上沉积HfO<Sub>2</Sub>栅介质薄膜，形成HfO<Sub>2</Sub>栅介...
诸葛兰剑余涛金成刚黄天源吴明智吴雪梅
文献传递
一种石墨烯的制备方法
本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底...
诸葛兰剑金成刚余涛徐轶君杨燕黄天源吴明智吴雪梅叶超
文献传递
一种石墨烯的制备方法
本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底...
诸葛兰剑金成刚余涛徐轶君杨燕黄天源吴明智吴雪梅叶超
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一种HfO<Sub>2</Sub>薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法
本发明公开了一种HfO<Sub>2</Sub>薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法，包括如下步骤：(a)清洗，在Si衬底上沉积HfO<Sub>2</Sub>栅介质薄膜，形成HfO<Sub>2</Sub>栅介...
诸葛兰剑余涛金成刚黄天源吴明智吴雪梅
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一种Hf基复合高k栅介质薄膜及其制备方法
本发明公开了一种Hf基复合高k栅介质薄膜的制备方法，包括如下步骤：(a)采用双离子束溅射沉积系统，将其本底真空调成3×10<Sup>-4</Sup>~5×10<Sup>-4</Sup>Pa，工作气压调成3.0×10<Su...
余涛金成刚吴雪梅诸葛兰剑
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钽掺杂铪基高k栅介质薄膜的离子束制备与表征
为了解决由栅介质层过薄而引起的漏电流显著增加的难题，人们引入了一种具有高介电常数(高k)的材料来取代传统的SiO2。其中，铪基高k材料由于具备较高的介电常数和结晶温度、优异的界面特性和热稳定性以及低的频率色散和漏电流被广...
余涛
关键词：电学特性热稳定性
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共1页<1>
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