吴明智
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：苏州大学更多>>
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- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- 一种HfO<Sub>2</Sub>薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法
- 本发明公开了一种HfO<Sub>2</Sub>薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法，包括如下步骤：(a)清洗，在Si衬底上沉积HfO<Sub>2</Sub>栅介质薄膜，形成HfO<Sub>2</Sub>栅介...
- 诸葛兰剑余涛金成刚黄天源吴明智吴雪梅
- 文献传递
- 厚度对掺铝氧化锌薄膜性能的影响被引量：2
- 2012年
- 室温下,采用射频磁控溅射法在单晶硅及石英片上沉积掺铝氧化锌(AZO)薄膜,所用靶材为掺杂Al2 O3的ZnO多晶烧结靶,其中Al2 O3所占质量百分数为2%,分别采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、霍尔效应测试系统和紫外可见分光光度计来研究不同的薄膜厚度对AZO薄膜结构、表面形貌、电学和光学性质的影响.结果表明:制备的AZO薄膜具有良好的c轴择优取向,同时随着薄膜厚度的增加,薄膜结晶性能变好,电阻率降低,可见光透过率减小.薄膜厚度为1 420 nm时具有最佳的光、电特性,其电阻率可降至4.2×10-3Ω.cm,可见光范围的平均透过率大于82%,且在600 nm波段的透过率高达92%.
- 王岩岩吴明智俞友明王飞吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：AZO磁控溅射膜厚
- 一种用于薄膜太阳能电池的AZO薄膜绒面结构的制备方法
- 本发明公开了一种用于薄膜太阳能电池的AZO薄膜绒面结构的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗玻璃基板，然后采用双频容性耦合等离子体放电技术对所述玻璃基板的表面进行刻蚀，使玻璃基板表面具有绒面结构；(2)采用磁控溅射技术在上...
- 诸葛兰剑王飞黄天源吴明智杨燕吴雪梅
- 文献传递
- 一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法
- 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，包括如下步骤：(1)硅片的清洗；(2)将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；(3)冷却，取出硅片；所述步骤(2)中，刻蚀气体为C<S...
- 王飞金成刚吴雪梅诸葛兰剑吴明智王岩岩俞友明
- 文献传递
- ICP增强的CCP放电实验的光谱诊断研究
- 随着微电子工业的迅速发展，集成电路集成度的不断增加和特征尺寸的不断减小对等离子体源提出了均匀性好、面积大、刻蚀速率高等要求，所以能够满足这些要求的新型等离子体源的研究就越来越受到人们的关注。 双频容性耦合等离子体（DF...
- 吴明智
- 关键词：光谱诊断放电实验氧化锌薄膜
- 文献传递
- 一种石墨烯的制备方法
- 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底...
- 诸葛兰剑金成刚余涛徐轶君杨燕黄天源吴明智吴雪梅叶超
- 文献传递
- 一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法
- 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，包括如下步骤：(1)硅片的清洗；(2)将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；(3)冷却，取出硅片；所述步骤(2)中，刻蚀气体为C<S...
- 王飞金成刚吴雪梅诸葛兰剑吴明智王岩岩俞友明
- CCP/ICP混合放电C_4F_8/Ar等离子体高、低频功率对AZO薄膜绒面效果的影响被引量：1
- 2013年
- 室温下,采用射频磁控溅射方法在石英基片上制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用CCP/ICP混合放电C4F8/Ar等离子体对制得的AZO薄膜进行绒面处理。利用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面形貌进行表征,利用光纤光谱仪分析放电产生的碳氟基团含量的变化。实验结果发现低频功率的增大能够有效增加等离子体中F原子的含量,进而提高薄膜的刻蚀效果,获得较好的绒面结构;但是高频功率变化对薄膜刻蚀效果影响较小。
- 吴明智金成刚王飞黄天源吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：AZOICP发射光谱
- 一种HfO<Sub>2</Sub>薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法
- 本发明公开了一种HfO<Sub>2</Sub>薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法，包括如下步骤：(a)清洗，在Si衬底上沉积HfO<Sub>2</Sub>栅介质薄膜，形成HfO<Sub>2</Sub>栅介...
- 诸葛兰剑余涛金成刚黄天源吴明智吴雪梅
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- 一种石墨烯的制备方法
- 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底...
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